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等離子體增強化學氣相沉積（Oxford Plasmalab System100 PECVD）

原理：

·在保持一定壓力的原料氣體中，借助射頻功率產生氣體放電，使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體。在氣體放電等離子體中，由于低速電子與氣體原子碰撞，產生正、負離子之外，還會產生大量的活性基，從而大大增強反應氣體的化學活性。這樣，在相對較低的溫度下，很容易發生反應，在基片上沉積出所期望的薄膜。由于PECVD技術是通過反應氣體放電來制備薄膜的，有效的利用了非平衡等離子體的反應特征，從根本上改變了反應體系的能量供給方式。

一般說來，采用PECVD技術制備薄膜材料時，薄膜的生長主要包含以下三個基本過程：

首先，在非平衡等離子體中，電子與反應氣體發生初級反應，使得反應氣體發生分解，形成離子和活性基團的混合物；

其二，各種活性基團向薄膜生長表面和管壁擴散運運輸運，同時發生各反應物之間的次級反應；左后，到達生長表面的各種初級反應和次級反應產物被吸附并于表面發生反應，同時伴隨有氣相分子物的再放出。

PECVD的優點是：基本溫度低，沉積速率快，成模質量好，針孔較少，不易龜裂。

技術指標：

·可蒸發不同厚度的SiO2 和SiNx薄膜，廣泛應用于物理，生物，化學，材料，電子等領域。

·沉積薄膜種類：SiO2，SiNx，SiONx

·基底溫度：小于400℃

·薄膜均勻性：±3%（4英寸）

·裝片：小于6英寸的任意規格的樣品若干