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面議
783
L9570-01 隱形切割裝置
在隱形切割技術(shù)中,能穿透材料的特定波長(zhǎng)的激光束被聚焦到材料內(nèi)部點(diǎn)上。這種方式在焦點(diǎn)附近的定位范圍內(nèi)形成機(jī)械損傷層(應(yīng)力層),實(shí)現(xiàn)了材料的“內(nèi)部”切割。隱形切割技術(shù)的工作原理和傳統(tǒng)的“外部”的刀片切割技術(shù)有著本質(zhì)上的不同。
究竟什么是隱形切割?
隱形切割是一種創(chuàng)新型、高質(zhì)量的切割技術(shù),它利用激光通過(guò)內(nèi)部處理來(lái)把半導(dǎo)體晶片切成小片。
在半導(dǎo)體制造中,使用大晶片是一個(gè)趨勢(shì)。但是晶片本身就非常薄,切割工藝涉及到一系列問(wèn)題,比如一片晶片能夠切割出多少芯片、或者怎樣在不導(dǎo)致缺陷的情況下切割出復(fù)雜集成電路芯片等。由于*終的芯片產(chǎn)品在具有更多高級(jí)功能的同時(shí)變得越來(lái)越小,所以切割過(guò)程必須工作在越來(lái)越嚴(yán)格的條件下。隱形切割就是一種滿足這種嚴(yán)苛條件的技術(shù)。隱形切割只是半導(dǎo)體制造工藝的一部分,但是這一部分的改變卻可以給整個(gè)工藝造成巨大影響。隨著*終半導(dǎo)體產(chǎn)品必須使用薄晶片,時(shí)代需要呼喚著更小、更高性能的半導(dǎo)體器件。說(shuō)市場(chǎng)需求是推動(dòng)隱形切割在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域獲得目前地位的推動(dòng)力量,一點(diǎn)也不夸張。
隱形切割的特性
與普通切割技術(shù)相比,隱形切割具有如下獨(dú)特之處:
高速切割
高質(zhì)量(無(wú)碎片、無(wú)灰塵)
低切口損失(提高了芯片收益率)
完全干性的過(guò)程
低運(yùn)行費(fèi)用
圖片顯示了使用100um厚的硅晶片時(shí)隱形切割和刀片切割的實(shí)際效果。刀片切割中,切口損失和刀片寬度相當(dāng),還產(chǎn)生了無(wú)數(shù)碎屑。然而隱形切割幾乎沒(méi)有切口損失和碎屑,顯示其是一種干凈、高質(zhì)量的切割。
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
自動(dòng)劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
HSE系列等離子刻蝕機(jī)