粉體行業在線展覽
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俄羅斯對外電子公司北京代表處
俄羅斯
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半導體晶圓片的無損檢測國際SEMI標準采納了傅里葉紅外光譜法。FSM1201S半導體晶圓分析儀可以根據預設的程序（可以通過軟件窗口圖文預設1-9個測定點）對76、100、 125、150 以及200mm直徑晶圓進行自動分析。單點分析時間不超過20秒。
主要技術指標：
光譜范圍，cm-1 | 400–7800 |
光譜分辨率， cm -1 | 1 |
樣品中光斑直徑， mm | 6 |
**的晶圓直徑， mm | 200 (300需預定) |
分析臺定位精度， mm | 0.5 |
單點標準分析時間， sec | 20 |
儀器尺寸， mm | 670x650x250 |
儀器重量， kg | 37 |
適用以下標準方法：
1）硅晶體中間隙氧含量的紅外吸收測量方法（晶圓厚度0.4～2mm），濃度范圍：(5x1015–2x1018)±5x1015см-3 國際標準: SEMI MF1188， Test Method for Interstitial Oxygen Content of Silicon by Infrared Absorption With Short Baseline);
2）硅中代位碳原子含量紅外吸收測量方法（晶圓厚度0.4～2mm），檢測范圍：(1016–5x1017)±1016см-3國際標準:SEMI MF1391 TEST METHOD FOR SUBSTITUTIONAL ATOMIC CARBON CONTENT OF SILICON BY INFRARED ABSORPTION
3）硅晶體中間隙氧含量徑向變化測量方法 國際標準:SEMI MF951 Test Method for Determination if Radial Interstitial Oxygen Variation in Silicon Wafers);
4）硅外延層厚度的分析 (國際標準:SEMI MF95 Thickness of epitaxial layers for silicon n-n+ and p-p+ structures: (0.5–10)±0.1 µm， (10–200)±1% µm);
5）SOS體系硅外延層厚度的分析Thickness of silicon epitaxial layers in SOS structures:(0.1–10) ±0.01 μm
6）BPSG中硼和磷濃度，PSG中磷濃度的分析Boron and/or phosphorus concentration in BPSG/PSG on silicon: (1–10) ±0.2 Wt%。
