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PVT單晶生長設備

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山東力冠微電子裝備有限公司

山東

產品規格型號
參考報價:

面議

品牌:

山東力冠

型號:

PVT單晶生長設備

關注度:

298

產品介紹

產品特點/Product characteristics:

? 提供兩種工藝包

Two process packages are provided

①外形包:產出6英寸碳化硅(SiC) 單晶,外形不開裂

Shape package: 6-inch silicon carbide (SiC) single crystal is produced without cracking

②工藝包:晶型: 4H

Process package: Crystal form: 4H

電阻率:0.015~0.025ohm.cm

Resistivity: 0.015 ~ 0.025 ohm . cm

直徑:150.25士0.25mm

Diameter: 150.25士0.25 mm

厚度:≥10 (Figure 2) mm

Thickness:≥10 (Figure 2) mm

微管密度:≤3ea/cm2

Microtubule density:≤3 ea/cm2

TSD:≤1000ea/cm2

? 溫度**可達2400°C

Temperatures up to 2400°C


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