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氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長設備立式

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山東力冠微電子裝備有限公司

山東

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面議

品牌：

山東力冠

型號：

氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長設備立式

關注度：

279

產品介紹

產品特點/Product Characteristics：

? 基礎工藝包

Basic process package

1.氮化鎵(GaN)單晶生長尺寸: 2英寸

Gallium nitride (GaN) single crystal growth size: 2 inches

2.單晶生長速率:≥50微米/小時

Single crystal growth rate:≥50 microns/hour

3.藍寶石襯底外延生長氮化鎵(GaN)單晶層厚度: < 200微米

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氮化鎵（GaN）HVPE單晶生長設備立式

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