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電阻法碳化硅晶體生長設備UK-T6

1、**解決了感應爐徑向溫度梯度大的技術難點，可實現徑向溫度梯度小和軸向溫度梯度可控，晶體內部缺陷少， 良率高、重復性好；

2、與傳統工藝長達7-14天的晶體生長周期相比，UKING ERH SiC RV4.0設備晶體生長速度更快，整個過程可控制在7天之內；

3、 自動化程度高，操控簡單，有利于批量生產，提高晶體生長效率和穩定性。