粉體行業在線展覽
粉體行業在線展覽
電子束蒸發設備—E-Beam-UHV
直接聯系
合肥致真精密設備有限公司
安徽
面議
致真精密
電子束蒸發設備—E-Beam-UHV
386
電子束蒸發設備可以在高真空和超高真空環境下實現精確的多層薄膜制備。線性電子束槍可以實現多種材料的蒸發。設備可選配考夫曼離子源實現晶圓的預清洗，可用于超導量子等領域，適用于高校及企業研發和小規模生產場合。
性能參數
| 晶圓尺寸 | 4inch~8inch |
| 極限真空 | 優于1×10-9mbar |
| 溫控 | RT-800℃ |
| 電子束槍 | 超高真空線性運動電子束槍，可選配坩堝數量和容量（標配，10KW，6×15cc） |
| 晶圓清洗 | 可選配考夫曼離子源實現晶圓清洗 |
| 清洗均勻性 | 例：4inch晶圓優于±3% |
| 控制系統 | PC+PLC，全自動操作與安全互鎖 |
| 樣品臺 | 180度傾斜，360度旋轉，可選升降與偏壓 |
| 膜厚測量 | 膜厚儀，可伸縮 |
| 占地面積 | 3m L*2m W*2m H |
| 可選 | 低溫泵、自動傳輸、工藝菜單等 |
觀察窗擋板
傾斜式高溫樣品臺
蒸發源
圓形互聯設備（外置機械臂、內置機械臂）
兩個鍍膜系統直接互聯設備
超高真空管道傳輸設備
晶圓真空傳輸平臺—VTM
量產型磁控濺射設備—MSI-200
生產型磁控濺射設備—MSI-100-UHV
生產型磁控濺射設備—MSI-100-HV
量產級多功能薄膜沉積設備
分子束外延設備—MBE-400
