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美國MMR霍爾效應測量系統H5000

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美國MMR 霍爾效應測量系統 H5000

美國 MMR 公司,與斯坦福大學合作開發了**的致冷器,其具有世界上*小的震動(埃米級別)、寬控溫范圍(70~730K)及高溫度穩定性(0.1K),并將其應用在以下測量系統,提高了系統的整體性能。 各個系統均采用模塊設計,客戶可根據實際要求配置系統,也方便日后升級。

霍爾效應測量系統主要用于研究光電材料的電學特性,利用范德堡測量技術測量材料在不同溫度、磁場下的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數及載流子類型。整套系統主要包括控制器、樣品室、磁場三部分。

主要參數:

1. 樣品固定方式:彈簧探針或引線治具

2. 溫度:70~730K;80~580K;70~580K;80~730K;室溫~730K(可選)

3. 磁場:5000Gauss 永磁鐵,5000Gauss 電磁場, 1.4T 電磁場(可選)

4. 溫度穩定度:<=0.1K

5. 溫度響應:1K/sec

6. 致冷片:10X14 mm

7. 電阻率:10-4~1013 Ohm*cm

8. 載流子遷移率:1~107 cm2/volt*sec

9. 載流子濃度:103~1019cm-3

10. 電流范圍:1 pA~100mA

11. 電壓范圍:+/-2.4V,*小可測到 6X10-6 V

12. 電阻范圍:10 m Ohms~ 10G Ohms

參考客戶: Standford Univ, University of Cambridge, AT&&Bell Labs, NASA, IBM, Intel, AMD,中科院,深圳大學,華南理工大學,上海光機所,上海微系統所,四川大學,上海交通大學,常州大學,東北大學,廈門大學,新疆理化研究所,北京物理所等。

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