粉體行業在線展覽
高真空電阻熱蒸發鍍膜機
面議
鵬城微納
高真空電阻熱蒸發鍍膜機
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高真空電阻熱蒸發鍍膜機(高真空鍍膜機)采用電阻熱蒸發技術,它是在高真空條件下,通過加熱材料的方法,在襯底上沉積各種化合物、混合物單層或多層膜。可用于生產和科學實驗,可根據用戶要求專門訂制;可用于材料的物理和化學研究;可用于制備金屬導電電極;可用于有機材料的物理化學性能研究實驗、有機半導體器件的原理研究實驗、OLED實驗研究及有機太陽能薄膜電池研究實驗等。
設備構成
-單鍍膜室
-單鍍膜室+進樣室
-單鍍膜室+手套箱(可將鍍膜室放在手套箱內)
-單鍍膜室+進樣室+手套箱(可將鍍膜室放在手套箱內)
-多鍍膜室+樣品傳遞室+手套箱(組成團簇式結構,樣品傳遞采用真空機械手)
設備組成
電阻熱蒸發源組件、樣品掩膜擋板系統、真空獲得系統及真空測量系統、分子泵(或冷泵)真空機組、旋轉基片加熱臺、工作氣路、手套箱連接部件、樣品傳遞機構,膜厚控制系統、電控系統、恒溫冷卻水系統等組成。
熱蒸發源類型和數量,可根據用戶需要進行配置。
可選件:膜厚監控儀,恒溫制冷水箱。
熱蒸發源種類及配置
電阻熱蒸發源組件:數量:1~12套(可根據用戶要求配裝);
電阻熱蒸發源種類:鉭(鎢或鉬)金屬舟熱蒸發源組件、石英舟熱蒸發源組件、鎢極或鎢藍熱蒸發源組件、鉭爐熱蒸發源組件(配氮化硼坩堝或陶瓷坩堝)、束源爐熱蒸發組件(配石英坩堝或氮化硼坩堝)。
高真空電阻熱蒸發鍍膜機(高真空鍍膜機) 工作條件(實驗室應具備的設備工作條件)
供電:4kW,三相五線制~ AC 380V
工作環境濕度:10℃~ 40℃
工作環境溫度:≤50%
冷卻循環水:0.2m3/h,水溫18℃~ 25℃
水壓:0.15MPa ~ 0.25MPa
真空性能
極限真空:7×10-5Pa~7×10-6Pa
設備總體漏放率:關機12小時,≤10Pa
操作方式
手動、半自動
團簇式OLED真空蒸鍍工藝裝備
金剛石散熱晶圓片
分子束外延薄膜生長設備(MBE)
MOCVD 金屬有機化學氣相沉積設備
PECVD 等離子體增強化學氣相沉積設備
LPCVD 低壓化學氣相沉積設備
HFCVD 熱絲化學氣相沉積設備
高真空電子束蒸發鍍膜機
高真空電阻熱蒸發鍍膜機
高真空磁控濺射儀
化合物半導體
TEM 熱、電、氣、液、冷凍樣品桿
合金分析儀
SHM1000
其他
NAI-ZLY-4/6C
CX-100
EMC-1
HMYX-2000
GPZT-JH10/4W
NJ-80型
X-300 X-FLUXER? 三位全自動熔片儀
NVT-HG型 單晶生長爐