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MOCVD 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
面議
鵬城微納
MOCVD 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
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MOCVD 金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備
可用于GaN、ZnO等的外延生長(zhǎng)。
材料的輸運(yùn)采取了超純的氣路系統(tǒng),源的切換和輸入采用了多路組合閥進(jìn)氣技術(shù)。由于組合閥具有極小的死空間,使得源的殘留量非常少,有利于生長(zhǎng)具有陡峭界面的材料。
采用壓差控制技術(shù)控制組合閥的旁路和主路之間的壓力,大大降低了源的壓力和濃度波動(dòng),有利于材料生長(zhǎng)的重復(fù)性和穩(wěn)定性。
采用了管道鑲嵌式進(jìn)氣噴頭,使反應(yīng)源在襯底表面均勻混合并反應(yīng),大大降低了預(yù)反應(yīng)的發(fā)生。
采用電阻式快速升降溫加熱爐。
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