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大型電子束箱式真空鍍膜設(shè)備

以您的鍍膜工藝出發(fā)，理論計算和設(shè)計經(jīng)驗結(jié)合，合理的配置，合理的布局，超高的性價比。全自動一鍵式操作。既能滿足科研院所多品種、小批量產(chǎn)品研制的需求，又能適用于規(guī)模化生產(chǎn)。全無油真空系統(tǒng)。

◆ 適用行業(yè)：天文觀測、SiC改性及傳統(tǒng)光學鍍膜、紅外器件鍍膜等

◆ 適用膜料金屬類：金、銀、鋁、銅、鈦、鉻、鈀、銠、鉑、鎳等各類金屬或合金

◆ 介質(zhì)類：二氧化硅、三氧化二鋁、二氧化鈦、五氧化二鉭、氧化鉿、二 氧化鋯、氟化鎂、氟化釔、硫化鋅、硒化鋅、H4、SV-7、SV-20等

◆ 晶體類：鍺、硅等膜層厚度       ◆ 金屬類：5nm-40mm

◆ 介質(zhì)類：5nm-30mm              ◆  晶體類：10nm-30mm

◆ 基底（襯底）尺寸： φ1.5mm-φ2400mm

主要技術(shù)指標：

◆ 內(nèi)腔直徑（mm）：2800、3000、3600等；

◆ 使用整體平面工件盤時：工件直徑不超過φ2400mm，邊緣厚度不超過400mm，工件及夾具總重量不超過10噸，工件轉(zhuǎn)速3-10rpm/min；

◆ 使用三行星平面工件盤時：工件直徑不超過φ1100mm，邊緣厚度不超過250mm，工件及夾具總重量不超過1噸，工件轉(zhuǎn)速3-30rpm/min；

◆ 極限真空：≤8×10-5 Pa（24 小時內(nèi)）；

◆ 常溫狀態(tài)下，真空室排氣由大氣至壓強2×10-3Pa，排氣時間≤25min；

◆ 250℃烘烤狀態(tài)下，真空室排氣由大氣至壓強2×10-3Pa，排氣時間≤45min;

◆ 下烘烤，**溫度300℃，控溫精度≤±1℃；

◆ 烘烤至200℃時，溫度不均勻性≤±5℃（徑向5點測試）

◆ 漏氣率：≤1.0×10-4Pa?m3/s;

◆ 膜厚片內(nèi)均勻性：≤±2%（電子束蒸發(fā)源制備Al2O3、SiO2兩種單層薄膜，延半徑方向均分十點測試）；

◆ 膜厚片間均勻性： ≤±2%（批次內(nèi)5片，每片取平均值）

◆ 膜厚批間重復(fù)性：≤±2% （連續(xù)3批，每批次取平均值） ；

控制程序：

◆ 19U標準機柜，專用控制臺操作；

◆ 基于微軟WPF開發(fā)的全自動一鍵式操作程序，保證鍍膜重復(fù)性；

◆ 采用excel文件編輯工藝參數(shù)，軟件直接調(diào)用運行即可完成整個鍍膜工藝流程，無需額外操作；

◆ 軟件自動生成詳細的工藝過程運行記錄和鍍膜信息記錄；

◆ 記錄文件可回溯，歷史數(shù)據(jù)曲線可查看，時間期限為1年內(nèi)；

◆ 可將TFC和Macload軟件設(shè)計參與導(dǎo)入到工藝流程內(nèi)；

◆ 膜層狀態(tài)界面可查看厚度、時間、速率、功率等鍍膜信息；

◆ 關(guān)鍵部件根據(jù)實際使用情況，有維護時間顯示，即節(jié)約成本，又便于維護；

◆ 完備的互鎖功能，防止誤操作；

◆ 程序設(shè)有三級權(quán)限，便于管理及維護。