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●該設備用于納米級單層或多層膜、類金剛石薄膜、金屬膜、導電膜、半導體膜和非導電膜等功能薄膜的制備，可實現共濺射，直流、射頻兼容，適于科研院所和企業進行功能薄膜研發、教學和新產品開發，同時可在微米級粉末或顆粒上沉積薄膜進而達到表面改性的功能。建議選用公Research系列磁控濺射平臺。

●主體結構：全封閉框架結構，機柜和主機為分體式機構。

●極限真空度：≤６.６３×10－5Pa，壓升率優于國家標準。    

●真空配置：高速直聯旋片泵一臺，配置尾氣處理裝置，超高分子泵一臺。

●真空測量：兩路電阻規，一路電離規；電阻規和電離規均采用防爆型金屬封結真空規。