粉體行業在線展覽
面議
263
ESS01是針對科研和工業環境中薄膜測量推出的波長掃描式、高精度自動變入射角度光譜橢偏儀,此系列儀器波長范圍覆蓋紫外、可見、近紅外到遠紅外。
ESS01采用寬光譜光源結合單色儀的方式實現高光譜分辨的橢偏測量。
ESS01系列光譜橢偏儀用于測量單層和多層納米薄膜的層構參數(如,厚層厚度、表面為粗糙度等)和光學參數(如,折射率n、消光系數k、復介電常數ε等),也可用于測量塊狀材料的光學參數。
ESS01適合多入射角光譜橢偏儀尤其適合科研中的新品研發。
ESS01適合很大范圍的材料種類,包括對介質材料、聚合物、半導體、金屬等的實時和非實時檢測,光譜范圍覆蓋半導體地臨界點,這對于測量和控制合成的半導體合金成分非常有用。并且適合于較大的膜厚范圍(從次納米量級到10微米左右)。
ESS01可用于測量光面基底上的單層和多層納米薄膜的厚度、折射率n及消光系數k。應用領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁介質存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。
薄膜相關應用涉及物理、化學、信息、環保等,典型應用包括:
項目 | 技術指標 |
光譜范圍 | ESS01VI:370-1700nm ESS01UI:245-1700nm |
光譜分辨率(nm) | 可設置 |
入射角度 | 40°-90°自動調節 |
準確度 | δ(Psi): 0.02 ° ,δ(Delta): 0.04° (透射模式測空氣時) |
膜厚測量重復性(1) | 0.05nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率n測量重復性(1) | 0.001(對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
單次測量時間 | 典型0.6s / Wavelength / Point(取決于測量模式) |
光學結構 | PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) |
可測量樣品**尺寸 | 直徑Φ200 mm |
樣品方位調整 | 高度調節范圍:10mm |
二維俯仰調節:±4° | |
樣品對準 | 光學自準直顯微和望遠對準系統 |
軟件 | •多語言界面切換 |
•預設項目供快捷操作使用 | |
•安全的權限管理模式(管理員、操作員) | |
•方便的材料數據庫以及多種色散模型庫 | |
•豐富的模型數據庫 | |
選配件 | 自動掃描樣品臺 聚焦透鏡 |