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EM12精致型多入射角激光橢偏儀

直接聯(lián)系

北京賽凡光電儀器有限公司

北京

產(chǎn)品規(guī)格型號
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407

產(chǎn)品介紹

EM12是采用先進的測量技術,針對中端精度需求的研發(fā)和質(zhì)量控制領域推出的精致型多入射角激光橢偏儀。EM12可在單入射角度或多入射角度下對樣品進行準確測量。可用于測量單層或多層納米薄膜樣品的膜層厚度、折射率n和消光系數(shù)k;也可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;亦可用于實時測量納米薄膜動態(tài)生長中膜層的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。多入射角度設計實現(xiàn)了納米薄膜的**厚度測量。

EM12采用了量拓科技多項**技術。

特點:

  • 次納米量級的高靈敏度

    國際先進的采樣方法、高穩(wěn)定的核心器件、高質(zhì)量的制造工藝實現(xiàn)并保證了能夠測量極薄納米薄膜,膜厚精度可達到0.2nm。
  • 1.6秒的快速測量

    國際水準的儀器設計,在保證精度和準確度的同時,可在1.6秒內(nèi)快速完成一次測量,可對納米膜層生長過程進行測量。
  • 簡單方便的儀器操作

    用戶只需一個按鈕即可完成復雜的材料測量和分析過程,數(shù)據(jù)一鍵導出。豐富的模型庫、材料庫方便用戶進行高級測量設置。

應用:

  • EM12適合于中端精度要求的科研和工業(yè)環(huán)境中的新品研發(fā)或質(zhì)量控制。
  • EM12可用于測量單層或多層納米薄膜層構樣品的薄膜厚度、折射率n及消光系數(shù)k;可用于同時測量塊狀材料的折射率n和消光系數(shù)k;可用于實時測量快速變化的納米薄膜的厚度、折射率n和消光系數(shù)k。
  • EM12可應用的納米薄膜領域包括:微電子、半導體、集成電路、顯示技術、太陽電池、光學薄膜、生命科學、化學、電化學、磁質(zhì)存儲、平板顯示、聚合物及金屬表面處理等。可應用的塊狀材料領域包括:固體(金屬、半導體、介質(zhì)等),或液體(純凈物或混合物)。

技術指標:

項目技術指標
儀器型號 EM12
激光波長 632.8nm (He-Ne Laser)
膜厚測量重復性(1) 0.2nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
折射率測量重復性(1) 2x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層)
單次測量時間 與測量設置相關,典型1.6s
**的膜層范圍 透明薄膜可達4000nm

吸收薄膜則與材料性質(zhì)相關

光學結構 PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度)
激光光束直徑 1-2mm
入射角度 40°-90°可手動調(diào)節(jié),步進5°
樣品方位調(diào)整 Z軸高度調(diào)節(jié):±6.5mm

二維俯仰調(diào)節(jié):±4°

樣品對準:光學自準直和顯微對準系統(tǒng)

樣品臺尺寸 平面樣品直徑可達Φ170mm
**外形尺寸 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時)
儀器重量(凈重) 25Kg
選配件 水平XY軸調(diào)節(jié)平移臺

真空吸附泵

軟件 ETEM軟件:

  • 中英文界面可選;
  • 多個預設項目供快捷操作使用;
  • 單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合;
  • 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出
  • 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持
注:(1)測量重復性:是指對標準樣品上同一點、同一條件下連續(xù)測量25次所計算的標準差。

性能保證:

  • 穩(wěn)定性的He-Ne激光光源、先進的采樣方法,保證了高穩(wěn)定性和高準確度
  • 高精度的光學自準直系統(tǒng),保證了快速、高精度的樣品方位對準
  • 穩(wěn)定的結構設計、可靠的樣品方位對準,結合先進的采樣技術,保證了快速、穩(wěn)定測量
  • 分立式的多入射角選擇,可應用于復雜樣品的折射率和**厚度的測量
  • 一體化集成式的儀器結構設計,使得系統(tǒng)操作簡單、整體穩(wěn)定性提高,并節(jié)省空間
  • 一鍵式軟件設計以及豐富的物理模型庫和材料數(shù)據(jù)庫,方便用戶使用

可選配件:

  • NFS-SiO2/Si二氧化硅納米薄膜標片
  • NFS-Si3N4/Si氮化硅納米薄膜標片
  • VP01真空吸附泵
  • VP02真空吸附泵
  • 樣品池

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EM12精致型多入射角激光橢偏儀

北京賽凡光電儀器有限公司

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