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Intense**的QWI技術(shù)可以增大半導(dǎo)體激光器的量子阱能帶隙，可在同一腔內(nèi)產(chǎn)生有源區(qū)和無源區(qū)，并在腔面形成一種無源吸收反射鏡(NAMs)，可有效地避免其他半導(dǎo)體激光器件常見的光學(xué)災(zāi)變(COMD)，性能更可靠穩(wěn)定。產(chǎn)品包括：高功率可見光和近紅外半導(dǎo)體激光器器件和陣列，可獨(dú)立尋址的半導(dǎo)體激光器陣列。

主要特點(diǎn)

·波長8xx，9xxnm ，功率<200mW

·減少復(fù)雜性、節(jié)約成本、高可靠性

·量子阱混合技術(shù)、高質(zhì)量光學(xué)

·封裝緊湊、可作為直接光源

·應(yīng)用包括數(shù)字式彩打、光動力療法、通信、材料加工