粉體行業(yè)在線展覽
面議
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倒置微光顯微鏡iPHEMOS系列
該儀器設(shè)計緊湊,高度僅為80cm,因此可與多種測試機(jī)方便地對接。其配備的高靈敏度InGaAs相機(jī)以及多種激光選配件擴(kuò)大了其動態(tài)分析的范圍。
特性
高精度級的多相機(jī)平臺
靈活的系統(tǒng)設(shè)計
多種探測器,可觀測低壓工作IC
倍率從1×到100×,多種鏡頭可選(可選配10鏡頭轉(zhuǎn)臺)
背面觀測探針可測量從整個300mm晶片到單個die的范圍
簡化了測試機(jī)頭對接,便于動態(tài)分析
用戶友好型操作系統(tǒng)
易于升級,有利于后期應(yīng)用
高分辨率模板圖像
選配
高分辨率、高靈敏度觀測用納米透鏡
使用納米透鏡可增加數(shù)值孔徑,顯著提高分辨率和光采集效率。這樣可以減少探測時間,卻可以提供更好的分辨率。
紅外-光致阻值改變(IR-OBIRCH)分析功能
極受歡迎的紅外-光致阻值改變(IR-OBIRCH)分析功能可作為選配增加到儀器中,來探測漏電流或靜態(tài)電流缺陷(leakage or IDDQ defects)等的線缺陷
使用數(shù)字lock-in組件,可提高IR-OBIRCH分析的探測功能
軟件提供的數(shù)字lock-in功能即使是很短的圖像采集時間,也可以保證獲得比模擬lock-in更清晰和銳利的圖像。
激光輻射的動態(tài)分析功能
使用激光束照射,來觀測器件工作中的狀態(tài)變化(通過或者失敗),以分析功能缺陷
序列測量軟件
通過使用者執(zhí)行一套流程,該功能可自動進(jìn)行微光/IR-OBIRCH觀測。連接半自動探針后,微光/IR-OBIRCH圖像可按照序列測量并保存。連接大規(guī)模集成電路測試機(jī)或者外部電源也可以進(jìn)行測量。
EO探針單元C12323-01
EO探針單元是一款工具,通過使用非連續(xù)光源,透過硅基底來觀察晶體管狀態(tài)。
配置
參數(shù)
產(chǎn)品名稱 | iPHEMOS-SD |
---|---|
尺寸/重量*1 | 主單元:805 mm (W)×915 mm (D)×1180 (775*2) mm (H), Approx. 500 kg*2 控制臺:880 mm (W)×1000 mm (D)×1775 mm (H), Approx. 200 kg |
*1:重量因配置不同而改變。
*2:高度等于iPHEMOS-SD上樣品邊緣的高度。
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
自動劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
HSE系列等離子刻蝕機(jī)