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• 208C高真空鍍碳儀為SEM、TEM、STEM、EDS/WDS、EBSD和微探針分析提供高質量的鍍膜技術。系統結構緊湊，所占空間小。樣品室直徑150mm，可快速抽真空進行鍍膜處理，處理周期約10分鐘。高真空條件下使用超純的碳棒為嚴格的高分辨掃描電鏡、透射電鏡、EBSD及探針分析提供高質量的鍍膜處理。.組件設計方式可方便地對不同優化條件下的各種應用進行切換

主要特性

• 電壓控制的碳棒具有多次蒸發能力

• 反饋控制可以得到準確一致的鍍膜厚度

• 可選擇操作方法優化鍍膜過程

• 繁忙條件下可進行自動蒸發控制

• 低成本高分辨膜厚監測儀保證可重復的鍍膜效果

• 80L/s的分子渦輪泵可快速地使直徑150mm的樣品室達到鍍膜要求的真空

• 可配備無油渦旋式真空泵選件

1. 可通過以下方式節約成本：無須水冷卻系統

2. 無須加熱或冷卻

3. 無須液氮

4. 制樣周期短

5. 節省空間

碳蒸發控制

• 208C對碳棒－Bradley型碳蒸發源使用獨特的完全集成的反饋控制設計。

• 電流和電壓通過磁控頭的傳感線監控，蒸發源作為反饋回路中的一部分被控制。該蒸發裝置使常規的碳棒具有優良的穩定性和重現性。功率消耗低，碳棒具有異常的重新蒸鍍特性。

• 蒸發源使用兩步超純碳棒。

• 蒸發源可以手動“脈沖”或“連續”的方式進行鍍膜。“脈沖”方式如果和MTM-10高分辨膜厚監測儀一起使用，可以準確得到所需要的膜厚。自動方式下的操作非常方便，操作者只要設定電壓和時間，可以得到一致的鍍膜效果。

208C樣品室

• 樣品室的組件設計方式可適應多種附件使用。

• 通過簡單調節工作距離，可方便地調節蒸發速率。

• 獨特的標準化高/低真空壓力調節通過精密針閥完成。

• 高真空用于**質量地鍍膜，如用于TEM制樣。

• 低真空用于TEM柵網的輝光放電清潔以及掃描電鏡觀察中形貌復雜樣品的鍍膜。

• 對于SEM、EDS/WDS 和探針分析，旋轉－行星轉動－傾斜樣品臺可對同時多個樣品進行一致的鍍膜處理。

• 旋轉－傾斜臺特別為TEM樣品處理設計，而且可以放置25 x 75mm的玻片。