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單探頭超低噪聲膜片鉗放大器Axon 200B
Axopatch200B是目前世界上噪音*低的膜片鉗放大器,它整合了電容反饋和單通道記錄的探頭冷卻技術,特別適合小電導的單通道的記錄,是*經典的膜片鉗放大器。
單探頭超低噪聲膜片鉗放大器Axon 200B主要特點
1.單探頭
2.探頭內有電阻反饋與電容反饋電路,電容反饋電路的設計以及探頭具有冷卻系統的特點,使得熱噪聲顯著降低。
3.具有超低噪聲,是目前世界上噪聲*低的膜片鉗放大器。單通道記錄時(b=1) 噪聲@ 0.045 pA rms;全細胞記錄時(b=1) 噪聲@ 0.55 pA rms;全細胞記錄時(b=0.1) 噪聲@ 1.6 pA rms。
4.細小而狹長的探頭設計使其適于在工作空間小的操作臺上記錄。
5.手動補償電極電容,細胞電容和串連電阻。
6.具有用于打破細胞膜的ZAP功能,其可輸出1.3伏的直流電,持續時間可高達50 ms。
單探頭超低噪聲膜片鉗放大器Axon 200B主要應用范圍
單通道記錄(**)、全細胞記錄、人工雙分子層膜片鉗記錄、松散封接記錄、電化學檢測(伏安法/安培測量法)。*適進行單通道記錄,尤其是小電導的單通道記錄。
單探頭超低噪聲膜片鉗放大器Axon 200B提供了*低噪音的膜片鉗放大器技術。膜片模式中開放電路(放大器)的噪音已經被降低到了**低的水平:< 15千億分之一安培(rms),1千赫茲帶寬以下; < 60千億分之一安培(rms),5千赫茲帶寬以下;以及< 130千億分之一安培(rms) ,10千赫茲帶寬以下,所有值都使用8極貝塞爾濾波器進行測量。使用吸管架時的噪音仍然較低(145千億分之一rms,低于10千赫茲帶寬時)。它在實際記錄中被轉化成低噪音;這個噪音性能部分通過將探頭內部的輸入場效應晶體管冷卻到零度以下來實現。 | |||
優良的噪音性能只是其優點的一部分。重新設計的、細長的探頭改善了電極穿透標本的能力,使其較容易的裝配到顯微鏡下面。現在,我們在一個探頭包含了兩個完整細胞的范圍(先前可以使用的只有兩個分開的探頭)。 | 200B包括了200A的所有特征,還增加了一些。增加的特征包括單獨的探頭中的三個記錄配置(一個膜片和兩個完整細胞的范圍,電容補償的范圍為100 pF和1000 pF)、電化學測量增加的電壓和電流指令范圍(到 ±1V)、電容測量的內置電容振動能力、增加了對電流鉗電路的串聯電阻來改善性能。封接實驗現在在電流鉗模式下可以提供電流步進;在電壓鉗模式下可以提供電壓步進。泄露減少在*重要的電阻范圍更加靈敏。記錄帶寬增加了兩倍,達到了100千赫茲。指令和帶寬范圍更大。串聯電阻補償現在在電流鉗和電壓鉗模式均可使用,以便進行電橋平衡。 | ||
一臺精致的儀器 | |||
單探頭超低噪聲膜片鉗放大器Axon 200B是Axon儀器公司主要的膜片鉗放大器的**版本,整合了單通道記錄創新的電容反饋技術、全細胞記錄的電阻反饋技術;提供了單通道和全細胞膜片鉗**的性能。通用特征包括破裂(在進入全細胞時,使膜片破裂)雙速電流鉗(在小細胞中可以進行較快的電流鉗);在電壓鉗中使用保持指令設置電壓指令,在電流鉗中設置電流指令;在專用的電流輸出上選擇三個增益設置中的一個(適用于膜片模式、全細胞模式和松散的膜片模式)。 | 單探頭超低噪聲膜片鉗放大器Axon 200B提供了低噪音單通道記錄。令人驚訝的是,當膜片吸管架附屬到探頭輸入,吸液管電容完全得到補償(消除了電容的瞬時充電)時,開放電路的低噪音從0.13 pA rms (10千赫茲) 增加到了僅0.145 pA rms。電容反饋技術的功率如下所示:(圖1)在室溫時,電容反饋明顯的要高于電阻反饋技術;冷卻的電容反饋更好??梢詫崿F**的超低噪音記錄。 | ||
**的性能、效用和輕松使用 包括:對全細胞電容補償的有效控制、獨特的串聯電阻補償的“增壓作用”形式,可以補充傳統的“修正”形式以及可以變化的滯后控制;1000個動態范圍內的輸出增益;四極貝塞爾濾波器;隨帶的泄露減少;雙重的外部指令輸入;多功能面板儀表顯示的保持指令、rms電流噪音、細胞膜電位、探頭輸出時的示蹤電位和電流;輸出增益、濾波效率、探頭模式(增益)以及測量細胞電容的電報輸出值;破裂以及雙速電流遷。 同時,Axopatch 200B電解是接地的,方便使用,指令和補償電位的增加比較簡單。 | |||
超低噪音的單通道記錄
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集成探頭模式 具有超低噪音和優良的線性,單探頭超低噪聲膜片鉗放大器Axon 200B電容反饋集成探頭對測量sub-picoamp 電流信號是非常理想的。使用這種技術,電子電路的噪音已經被降低到了這樣一個水平:零件自身固有的水平已經變的非常重要了。在Axopatch 200B中, 我們引入了對關鍵電路零件的冷卻,從而可以減少熱噪音,將放大器本身的噪音降低到可能的*低水平。Axopatch 200B 是超低噪音的放大器。 | 雙分子膜 在人造的雙分子膜實驗中有益的探頭必須是穩定的,具有較大的輸入電容負載。單探頭超低噪聲膜片鉗放大器Axon 200B是堅實的,輸入電容為1000 pF. 而且, Axopatch 200B中的集成技術使雙分子膜的電壓可以迅速的步進。原因有二:首先,積分器通常都有較大的動態范圍,使其可以瞬時通過幾個微安培的電流。其次,在較大的指令電壓步進時,積分器進入到重置狀態。在這種狀態下, 探頭繼續作為電壓鉗放大器進行運行;但是其反饋電阻非常低。在積分器處于重置狀態的幾個毫秒,它可以通過**為一個毫安的電流,可以使雙分子膜電容迅速充電。 | ||
優良的全細胞的性能
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電阻探頭模式 在全細胞記錄中,細胞和環境本身產生的電流噪音要比膜片鉗放大器產生的噪音大的多。因此,在全細胞模式中,低噪音電容反饋探頭的優勢不能得到有效的利用。處于這種原因, Axopatch 200B對全細胞模式的膜片鉗記錄使用了傳統的電阻反饋探頭電子裝置。CV 203BU 探頭包括兩個反饋電阻,在全細胞模式下可以提供非常廣泛的電流通過能力。500兆歐姆的反饋電阻 (ß=1)提供了低噪音和大電流通過能力 (20 nA)。對較大的電流,可以轉換到50兆歐姆的反饋電阻 (ß=0.1),通過電流可以達到200 nA. | 串聯電阻補償 串聯電阻補償有兩個目的:預測和修正 串聯電阻預測 通過暫時的增加指令電壓步進(“增壓作用”)的尺寸,膜片電位可以迅速的獲得賦值。 串聯電阻修正 要排除電極中電壓下降造成的錯誤;改善記錄帶寬,可以使用正反饋通過向探頭的指令輸入中增加與測量的電流成比例的信號來增加指令電位。串聯電阻預測和修正在Axopatch 200B上可以一起使用或者分開使用。 | ||
雙速電流鉗 Axopatch 200B使用雙速電流鉗,優化速度和穩定性。速度的選擇由吸液管電阻決定。對超過10兆歐姆的吸液管電阻來說,可以使用I-鉗FAST(快速)模式在很多試驗環境下可以獲得10微秒的上升時間。I-鉗NORMAL(標準)模式保證1兆歐姆以上的任何吸液管的穩定性。此外,電流鉗可以使電流鉗制到零(I=0模式),在形成密封之前,當接近細胞時,緩慢的鉗制到零電流(示蹤模式),這樣有益于跟隨吸液管偏移中的緩慢變化。此外,Axopatch 200B包括電流鉗中的串聯電阻補償,使由于吸液管電阻造成的電壓錯誤可以進行修正。 |