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PIN-FET光纖耦合探測(cè)器組件-DIL封裝

直接聯(lián)系

筱曉（上海）光子技術(shù)有限公司

加拿大

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)

參考報(bào)價(jià)：

面議

關(guān)注度：

262

產(chǎn)品介紹

PIN-FET光纖耦合探測(cè)器組件-DIL封裝

MPGD45211Z型差分輸出PIN模塊

主要特點(diǎn)：

1.DIP8密封金屬封裝

2.差分信號(hào)輸出

3.多種跨阻值可供選擇

4.高靈敏度

5.3種峰值響應(yīng)波長(zhǎng)

6.質(zhì)量等級(jí)：M1

7.標(biāo)準(zhǔn)號(hào)：Q/UH173-2009

主要用途：

1.光纖陀螺

2.光纖傳感器

3.光纖相干層析成像系統(tǒng)

**額定值

推薦工作條件

光電特性

Vcc=+5V，Vss=-5V

參數(shù)名稱	噪聲電壓	電壓響應(yīng)度	帶寬	靈敏度	增益一致性
符號(hào)	V_n	R_e	Bw	S_r
測(cè)試條件 (Vss＝-5V Vcc＝5V -45℃～70℃)	RL=1M?	λ=850/1310/1550nm ^a f=DC φe＝(-30±0.2)dBm	λ=850/1310/1550nm ^a RL=1M? φe=(-30±0.2)dBm ^b Φe=(-40±0.2)dBm^c	λ=850/1310/1550nm ^a RL=1M? f＝10kHz	λ=850/1310/1550nm ^a RL=1M? φe＝(-30±0.2)dBm^b φe＝(-40±0.2)dBm ^c
-1AS	≤20	≥0.025*10⁶	≥15	≤-39.5	≥98%
-1AL		≥0.043×10⁶	≥15	≤-42
-2AS		≥0.05×10⁶	≥8	≤-40.5
-2AL		≥0.085×10⁶	≥8	≤-43
-3AS		≥0.075×10⁶	≥5	≤-42.5
-3AL		≥0.13×10⁶	≥5	≤-45
-4AS		≥0.1×10⁶	≥4	≤-43.5
-4AL		≥0.17×10⁶	≥4	≤-46
-5AS		≥0.13×10⁶	≥3	≤-44.5
-5AL		≥0.22×10⁶	≥3	≤-47
-6AS		≥0.15×10⁶	≥2	≤-45.5
-6AL①		≥0.26×10⁶	≥2	≤-48
-8AS		≥0.2×10⁶	≥1	≤-47.5
-8AL②		≥0.34×10⁶	≥1	≤-50
-1MAS③		≥0.25×10⁶	≥1	≤-48.5
-1MAL④		≥0.43×10⁶	≥1	≤-51
-3BS		≥0.075×10⁶	≥30	≤-42.5
-3BL		≥0.13×10⁶	≥30	≤-45
-4BS		≥0.1×10⁶	≥20	≤-43.5
-4BL		≥0.17×10⁶	≥20	≤-46
-6BS		≥0.15×10⁶	≥14	≤-45.5
-6BL⑤		≥0.26×10⁶	≥14	≤-48
-8BS		≥0.2×10⁶	≥8	≤-47.5
-8BL		≥0.34×10⁶	≥8	≤-50
-1MBS		≥0.25×10⁶	≥5	≤-48.5
-1MBL		≥0.43×10⁶	≥5	≤-51
單位	mV	V/W	MHz	dBm	%
注：a.波長(zhǎng)根據(jù)用戶要求任選一種 b.僅限①②③④⑤⑥⑦⑧八種產(chǎn)品 c.其余系列產(chǎn)品

管腳定義及外形尺寸

使用說(shuō)明：

電源電壓、偏置電壓不能超過(guò)額定值、偏置電壓不能超過(guò)額定值；

電源端與地之間應(yīng)接 0.1μF 電容 0.1μF 電容；

器件保存應(yīng)保持干燥；

器件保存和使用時(shí)應(yīng)注意靜電防護(hù)。尾纖彎曲半徑不得小于。尾纖彎曲半徑不得小于30mm

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