粉體行業在線展覽
面議
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SI APD雪崩光電探測器
AD100-8 TO
圓形有源區APD芯片直徑為100μm。 該裝置為透明玻璃窗的密封TO52包裝。其中根據定制要求,兩種TO52類型可供選擇。
產品特征:
APD具有0.008mm2的有效面積
100μm直徑有效面積
低偏置電壓時的高增益
快速上升時間,低電容
**增益:50-60
產品應用:
激光測距儀
高速光度測定
高速光通信
用器材
****額定值:
符號 | 參數 | *小值 | **值 | 單位 |
TSTG | Storage temp | -55 | 125 | ℃ |
TOP | Operating temp | -40 | 100 | ℃ |
Mmax | Gain (IPO=1 nA) | -200 | ||
IPEAK | Peak DC current | 0.25 | mA |
光電參數@23℃:
符號 | 特性 | 測試條件 | *小值 | 典型值 | **值 | 單位 |
有效區域 | 直徑 100 | um | ||||
有效區域 | 0.00785 | mm2 | ||||
ID | 暗電流 | M=100 | 0.05 | 0.1 | nA | |
C | 電容 | M=100 | 0.5 | pF | ||
響應 | M=100;λ=800nm | 45 | 50 | A/W | ||
tR | 上升時間 | M=100;λ=905nm;RL=50? | 0.18 | ns | ||
截止頻率 | -3dB | 2 | GHz | |||
VBR | 擊穿電壓 | IR=2uA | 80 | 160 | v | |
溫度系數 | VBR隨時間變化 | 0.35 | 0.45 | 0.55 | V/K | |
過大噪聲因素 | M=100 | 2.2 | ||||
過大噪聲指數 | M=100 | 0.2 |
光譜響應圖(M=100):
量子效應(23℃) 電容為反偏壓(23°C)
乘積作為偏壓(23°C,60℃) 暗電流為偏壓(23℃,60℃)
應用提示:
?電流應受到電源內部的保護電阻或電流限制 - IC限制
?對于低光照應用,應使用環境光的遮擋
?對于高增益應用,偏置電壓應進行溫度補償
?處理時請考慮基本的ESD保護
?使用低噪聲讀出 - IC
?有關更多問題,請參閱文檔“處理和處理說明”
?**增益:50-60
封裝圖:
包裝尺寸:
少量:泡沫墊,盒裝(12厘米x 16.5厘米)