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SI APD雪崩光電探測器

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筱曉(上海)光子技術有限公司

加拿大

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面議

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262

產品介紹

SI APD雪崩光電探測器

AD100-8 TO

圓形有源區APD芯片直徑為100μm。 該裝置為透明玻璃窗的密封TO52包裝。其中根據定制要求,兩種TO52類型可供選擇。

產品特征:

APD具有0.008mm2的有效面積

100μm直徑有效面積

低偏置電壓時的高增益

快速上升時間,低電容

**增益:50-60

產品應用:

激光測距儀

高速光度測定

高速光通信

用器材

****額定值

符號

參數

*小值

**值

單位

TSTG

Storage temp

-55

125

TOP

Operating temp

-40

100

Mmax

Gain IPO=1 nA

-200

IPEAK

Peak DC current

0.25

mA

光電參數@23℃:

符號

特性

測試條件

*小值

典型值

**值

單位

有效區域

直徑 100

um

有效區域

0.00785

mm2

ID

暗電流

M=100

0.05

0.1

nA

C

電容

M=100

0.5

pF

響應

M=100λ=800nm

45

50

A/W

tR

上升時間

M=100λ=905nmRL=50?

0.18

ns

截止頻率

-3dB

2

GHz

VBR

擊穿電壓

IR=2uA

80

160

v

溫度系數

VBR隨時間變化

0.35

0.45

0.55

V/K

過大噪聲因素

M=100

2.2

過大噪聲指數

M=100

0.2

光譜響應圖(M=100):

量子效應(23℃) 電容為反偏壓(23°C)

乘積作為偏壓(23°C60℃) 暗電流為偏壓(23℃,60℃)

應用提示:

?電流應受到電源內部的保護電阻或電流限制 - IC限制

?對于低光照應用,應使用環境光的遮擋

?對于高增益應用,偏置電壓應進行溫度補償

?處理時請考慮基本的ESD保護

?使用低噪聲讀出 - IC

?有關更多問題,請參閱文檔“處理和處理說明”

?**增益:50-60

封裝圖:

包裝尺寸:

少量:泡沫墊,盒裝(12厘米x 16.5厘米)

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SI APD雪崩光電探測器

筱曉(上海)光子技術有限公司

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