粉體行業(yè)在線展覽
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氮化鋁陶瓷已成為新一代大規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體模塊及大功率器件的理想的散熱和封裝材料，大量應(yīng)用于HBLED、UVLED封裝、大功率集成電路、功率模塊、RF射頻/微波通訊、汽車電子、微電子半導(dǎo)體、影像傳輸?shù)阮I(lǐng)域。
| 氮化鋁（AlN）是共價(jià)鍵化合物，原子晶體，屬類金剛石氮化物、六方晶系，纖鋅礦型的晶體結(jié)構(gòu)，無毒，呈白色或灰白色，理論密度3.26g/cm3。 | |
| 氮化鋁材料具有如下特性： |  |
| (1)高熱導(dǎo)率 (理論值約320W/m·K)； (2)高絕緣性； (3)低熱膨脹系數(shù)(4.5×10-6℃)與Si(3.5~4×10-6℃)和GaAs(6×10-6℃)匹配； (4)電性能優(yōu)良(介電常數(shù)、介質(zhì)損耗、體電阻率、介電強(qiáng)度)； (5)機(jī)械性能好； (6)耐腐蝕性好； (7)光傳輸特性好； | |
| 氮化鋁陶瓷已成為新一代大規(guī)模集成電路、半導(dǎo)體模塊及大功率器件的理想的散熱和封裝材料，大量應(yīng)用于HBLED、UVLED封裝、大功率集成電路、功率模塊、RF射頻/微波通訊、汽車電子、微電子半導(dǎo)體、影像傳輸?shù)阮I(lǐng)域。 | |
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