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近年來(lái)，集成電路及高功率LED器件行業(yè)飛速發(fā)展。隨著功率器件工作電壓及電流的增加，芯片尺寸的不斷減小，芯片的功率密度急劇增加，散熱問(wèn)題已成為封裝器件快速發(fā)展的瓶頸。氮化鋁（AlN）具有優(yōu)良的高熱導(dǎo)性，且絕緣性能佳，是新一代基片的理想材料，更是解決大功率的LED器件、LD、晶體管、集成電路和IGBT等封裝器件散熱瓶頸的優(yōu)選材料。

我公司深入研究高散熱AlN陶瓷基板材料制備、表面金屬化、模組封裝等技術(shù)，采用自主創(chuàng)新技術(shù)制備AlN膜片，專門適用于大功率LED器件集成封裝的應(yīng)用基板材料，且在材料散熱性能、抗彎強(qiáng)度和封裝后LED 器件的性能方面優(yōu)勢(shì)明顯。該產(chǎn)品經(jīng)檢測(cè)及客戶反饋，可以滿足應(yīng)用需求。 

氮化鋁陶瓷基板產(chǎn)品性能參數(shù)

                            氮化鋁陶瓷基片常規(guī)尺寸                           

氮化鋁陶瓷圓片常規(guī)尺寸

                                                                                    注：其余尺寸可定制加工。