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深能級瞬態(tài)譜儀

直接聯(lián)系

科睿設備有限公司

美國

產(chǎn)品規(guī)格型號
參考報價:

面議

關注度:

524

產(chǎn)品介紹

儀器簡介: 美國高分辨深能級瞬態(tài)譜儀是半導體領域研究和檢測半導體雜質(zhì)、缺陷深能級、界面態(tài)等的重要技術手段!測試功能:電容模式、定電容模式、電流模式、(雙關聯(lián)模式)、光激發(fā)模式、FET分析、MOS分析、等溫瞬態(tài)譜、Trap profiling、俘獲截面測量、I/V,I/V(T) 、C/V, C/V(T) 、TSC/TSCAP 、光子誘導瞬態(tài)譜、DLOS。

測試根據(jù)半導體P-N結(jié)、金-半接觸結(jié)構肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容(△C~t)技術和深能級瞬態(tài)譜的發(fā)射率窗技術測量出的深能級瞬態(tài)譜,是一種具有很高檢測靈敏度的實驗方法,能檢測半導體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級及界面態(tài)。通過對樣品的溫度掃描,給出表征半導體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級及界面態(tài)隨溫度(即能量)分布的DLTS譜,集成多種全自動的測量模式及全面的數(shù)據(jù)分析,可以確定雜質(zhì)的類型、含量以及隨深度的分布。

也可用于光伏太陽能電池領域中,分析少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的關鍵性雜質(zhì)元素和雜質(zhì)元素的晶格占位,確定是何種摻雜元素和何種元素占位影響少子壽命。

感謝中國科學院寧波材料研究所國家硅材料深加工產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢驗中心南昌大學西安電子科技大學成為此設備的專業(yè)用戶?。?/p>

此設備在全球用戶眾多,比歐洲設備性能價格比高,是研究材料深能級領域的理想工具??!

系統(tǒng)配置:

DLTS數(shù)據(jù)采集及分析軟件 (DLTS, ODLTS, DDLTS)

Boonton 7200型快速電容測試器

自動電容零點界面

數(shù)據(jù)采集卡及中斷箱

ODLTS穿導件

機柜安裝硬件及電纜

設備機柜

GPIB 接口卡

電腦是雙核, 2GB 內(nèi)存, 19”顯示器. USB 接口, CD書寫用于數(shù)據(jù)傳輸.

可調(diào)節(jié)探針(2)

閉環(huán)液氦制冷機 (25-700K)

溫度控制器

電容測試器指標:

型號: Boonton 7200

電容零點界面: Yes

全自動電容補償: Yes

全自動范圍設置: Yes

響應時間: ~25μsec

補償范圍: 256pF

測試頻率: 1MHz

測試信號級別: 15, 30, 50, 100 mV

電容范圍: 2000pF

靈敏度: 1fF

電壓范圍: +100V to –100V (Boonton)

+10V to –10V (數(shù)據(jù)采集卡)

靈敏度: 1mV (電壓小于 20V時), 10mV (電壓大于 20V時)

0.3mV (數(shù)據(jù)采集卡)

脈沖寬度: 15ms to >0.1sec (Boonton內(nèi)置偏壓)

5μs to >0.1sec (數(shù)據(jù)采集卡)

脈沖幅度: 到 200V, slew rate <20v>

到 20V, slew rate of 20V/μs (數(shù)據(jù)采集卡)

電流: 5mA

數(shù)據(jù)采集卡瞬時記錄:

采樣速率: 可至 1μs. 一般使用 >50μs

采樣次數(shù): >10,000.

記錄分辨率: 50ns暫時分辨率, 優(yōu)于 50aF 電容分辨率

過濾: 全自動檢測及正弦噪音消除

產(chǎn)品咨詢

深能級瞬態(tài)譜儀

科睿設備有限公司

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