粉體行業在線展覽
面議
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技術特點▼
l 能夠測量小至1mm的晶體到或更大的樣品
l 各種樣品架及輸送夾具,用于線鋸、拋光等
l 側晶方向標記選項
l 無水冷卻
l 精度可達0.01°(視晶體質量而定)
l 確定單晶的完全晶格取向
l 使用Omega掃描方法的超高速晶體定位測量
l 氣冷式X射線管,無需水冷
l 適合于研究和生產質量控制
l 手動操作(沒有自動化選項)
晶體的方向是由反射位置決定的
? 立方/任意未知方向:Si, Ge, GaAs, GaP, InP
? 立方/特殊取向:Ag, Au, Ni, Pt, GaSb, InAs, InSb, AlSb, ZnTe, CdTe, SiC3C, PbS, PbTe, SnTe, MgO, LiF, MgAl2O4, SrTiO3, LaTiO3
? 正方:MgF2, TiO2, SrLaAlO4
? 六方/三角:SiC 2H, 4H, 6H, 15R, GaN, ZnO, LiNbO3, SiO2(石英),Al2O3(藍寶石),GaPO4, La3Ga5SiO14
? 斜方晶系:Mg2SiO4 NdGaO3
? 可根據客戶的要求進一步選料
適合多種材料
SDCOM的應用▼
平面方向的標記和測量
在晶圓片的注入和光刻過程中,需要平面或凹槽作為定位標記。切割過程中,晶片必須正確地對準晶圓片上易于切割的晶格面。因此,檢查平面或缺口的位置至關重要。
為了確定平面或缺口的位置,就需要測量平面內的部件。由于Omega掃描法可以在一次測量中確定完整的晶體方位,基于此,便可以直接識別在平面方向或檢查方向的單位或缺口。
DDCOM通過旋轉轉盤,可以將任何平面方向轉換成用戶指定的特定位置。在必須定義平面方向的情況下,這可以大大簡化將標記應用到特定平面方向的過程。