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反應(yīng)離子刻蝕

NRE-4000（M）反應(yīng)離子刻蝕概述：

NRE-4000是一款獨(dú)立式RIE反應(yīng)離子刻蝕系統(tǒng)，配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷RF樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔，便于晶圓片裝載.腔體有兩個(gè)端口:一個(gè)帶有2"的視窗，另一個(gè)空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持**到12”的晶圓片。腔體為超凈設(shè)計(jì)，并且根據(jù)配套的真空泵可以達(dá)到10^-6 Torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mTorr到8Torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個(gè)節(jié)流閥，一個(gè)250l/s的渦輪分子泵，濾網(wǎng)過(guò)濾器，以及一個(gè)10cfm的機(jī)械泵(帶Formblin泵油).RF射頻功率通過(guò)600W，13.56MHz的電源和自動(dòng)調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓，該自偏壓可以高達(dá)-500V.這對(duì)于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。

該系統(tǒng)是基于PC控制的全自動(dòng)系統(tǒng).系統(tǒng)真空壓力及DC直流偏壓將以圖形格式實(shí)時(shí)顯示，流量及功率則以數(shù)字形式實(shí)時(shí)顯示.系統(tǒng)提供密碼保護(hù)的四級(jí)訪問功能:操作員級(jí)、工程師級(jí)、工藝人員級(jí)，以及維護(hù)人員級(jí).允許半自動(dòng)模式(工程師模式)、寫程序模式(工藝模式)， 和全自動(dòng)執(zhí)行程序模式(操作模式)運(yùn)行系統(tǒng)。基于全自動(dòng)的控制，該系統(tǒng)具有高度的可重復(fù)性。

NRE-4000（M）反應(yīng)離子刻蝕產(chǎn)品特點(diǎn)：

• 鋁質(zhì)腔體或不銹鋼腔體

• 不銹鋼立柜

• 能夠刻蝕硅的化合物(~400? /min)以及金屬

• 典型的硅刻蝕速率，400 ?/min

• 高達(dá)12”的陽(yáng)極氧化鋁RF樣品臺(tái)

• 水冷及加熱的RF樣品臺(tái)

• 大自偏壓

• 淋浴頭氣流分布

• 極限真空5x10-7Torr，20分鐘內(nèi)可以達(dá)到10-6Torr級(jí)別

• 渦輪分子泵

• *多支持8個(gè)MFC

• 無(wú)繞曲氣體管路

• 自動(dòng)下游壓力控制

• 雙刻蝕能力支持：RIE以及PE刻蝕（可選）

• 終點(diǎn)監(jiān)測(cè)

• 氣動(dòng)升降頂蓋

• 手動(dòng)上下載片

• 基于LabView軟件的PC計(jì)算機(jī)全自動(dòng)控制

• 菜單驅(qū)動(dòng)，4級(jí)密碼訪問保護(hù)

• 完全的安全聯(lián)鎖

• 可選ICP離子源以及低溫冷卻樣品臺(tái)，用于深硅刻蝕

NRE-4000（M）反應(yīng)離子刻蝕 Features：

• Aluminum or Stainless Steel Chamber

• Stainless Steel Cabinet

• Capable of etching Si compounds (~400 ? /min)and metals

• Typical Si etch rate， 400 ?/min

• Up to 12“ Anodized RF Platen

• Water Cooled and Heated RF Platen

• Large Self Bias

• Shower Head gas distribution

• Approximately 10^-6 Torr < 20 minutes， ~ 5 x10^-7 Torr base pressure

• Turbomolecular Pump

• Up to eight MFCs

• No flexing of gas lines

• Down Stream Pressure Control

• Dual Etch capability: RIE and Plasma Etch（Option）

• End Point Detection

• Pneumatically Lifted Top

• Manual loading/unloading

• PC Controlled with LabVIEW

• Recipe Driven， Password Protected

• Fully Safety Interlocked

• Optional ICP source and cryogenic cooling of the platen for deep Si etch