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1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統OTF-1200X-4-C4LV是專門為在金屬箔表面生長薄膜而設計的,特別是應用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究。
產品型號 | 1200℃雙管滑動式四通道混氣CVD系統OTF-1200X-4-C4LV |
安裝條件 | 本設備要求在海拔1000m以下,溫度25℃±15℃,濕度55%Rh±10%Rh下使用。 1、水:設備配有自循環冷卻水機(加注純凈水或者去離子水) 2、電:AC380V 50Hz(63A空氣開關),必須有良好接地 3、氣:設備腔室內需充注氬氣(純度99.99%以上),需自備氬氣氣瓶(自帶?6mm雙卡套接頭) 4、工作臺:尺寸1500mm×600mm×700mm,承重200kg以上 5、通風裝置:需要 |
主要特點 | 1、采用高純氧化鋁保溫材料,保證了極好的溫度均勻性。 2、內爐膛表面涂有美國進口氧化鋁涂層,可以提高反射率和保護爐膛潔凈度。 3、采用PID控制器,可以設置30段升降溫程序。 4、金屬箔纏繞在內管的外表面上發生CVD反應。 5、采用雙管真空密封法蘭,允許反應氣體通過兩管之間(10mm間隙)。 6、冷卻氣體直接通入內管。 7、配有帶KF25快接和波紋管的高速機械泵。 8、爐底部裝有滑軌,爐體可從一端滑向另一端,從而實現快速升溫和降溫。為了獲得較快的加熱速度,可以先將爐體預熱,然后滑至放置樣品處;為了獲得較快的冷卻速度,可將爐體滑至另一端,同時將冷氣通入樣品所在處。 9、密封法蘭系統采用不銹鋼制作。 10、已通過CE認證。 |
技術參數 | 管式爐 1、電源:單相AC208V-240V 50Hz/60Hz 2.5KW(20A保險絲) 2、石英管:外管外徑?100mm,內徑?96mm,長1400mm 內管外徑?80mm,內徑?75mm,長1400mm 3、加熱元件:摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲(表面涂有氧化鋯) 4、加熱區域:440mm 5、恒溫區域:120mm(±1℃在400℃-1100℃) 6、工作溫度:**1100℃,連續工作1000℃ 7、**升降溫速率:20℃/min 8、控溫精度:±1℃ 9、真空度:10-2torr(機械泵),10-5torr(分子泵) |
質量流量混氣系統 1、質子流量計:4路精密質子流量計,數字顯示,氣體流量自動控制 MFC1范圍0-100sccm,MFC2范圍0-200sccm,MFC3范圍0-200sccm,MFC4范圍0-500sccm 2、流量精度:0.2% 3、氣路:4路(每個氣路都有一個獨立的不銹鋼針閥控制) 4、進出氣口:1/4"卡套 5、混氣罐:1個 | |
產品規格 | 尺寸:管式爐550mm×380mm×520mm,移動架600mm×600mm×597mm 重量:135kg |
可選配件 | 1、分子泵 2、雙溫區管式爐 3、銅箔(生長石墨烯150mm×150mm×25μm) |