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Semiconsoft MProbe薄膜測(cè)厚儀

直接聯(lián)系

廣州市固潤(rùn)光電科技有限公司

美國(guó)

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879

產(chǎn)品介紹

Semiconsoft MProbe薄膜測(cè)厚儀

M p r o b e 讓 你 成 為 測(cè) 量 專 家 !

大部分半透明的或具有輕微吸收性的薄膜能夠被快速、可靠的測(cè)量:

氧化物、氮化物、感光耐蝕膜、聚合物、半導(dǎo)體(Si, aSi,polySi)、半導(dǎo)體化合物(AlGaAs,InGaAs,CdTe,CIGS)、硬涂層(SiC, DLC), 聚合物涂料 (Paralene, 聚甲基丙烯酸甲酯, 聚酰胺), 薄金屬薄膜等。

厚度范圍: 1 nm-1 mm

波長(zhǎng)范圍: 200nm -5000nm

在薄膜太陽(yáng)能電池中的應(yīng)用:

aSi, TCO, CIGS, CdS, CdTe-全太陽(yáng)能堆棧測(cè)量

LCD, FPD應(yīng)用:

ITO, 細(xì)胞間隙,聚酰胺。

光學(xué)涂層:

介質(zhì)濾波器,硬涂層,防反射涂層半導(dǎo)體和電解質(zhì): 氧化物,氮化物, OLED堆。

實(shí)時(shí)測(cè)量和分析。各種多層次的, 高強(qiáng)度的,厚的, 獨(dú)立和不均勻的層 。

豐富的材料庫(kù) (500多種材料) – 新材料容易增添。

支持參數(shù)化材料:

Cauchy, Tauc-Lorentz, Cody-Lorentz, EMA 等?

使用靈活:

可聯(lián)網(wǎng)在操作臺(tái)桌面或現(xiàn)場(chǎng)進(jìn)行研究與開發(fā)。用TCP或Modbus接口能容易的和外部系統(tǒng)連接。

測(cè)量參數(shù):

厚度、光學(xué)常數(shù)、表面粗糙度。

界面友好強(qiáng)大:

測(cè)量和分析設(shè)置簡(jiǎn)單。背景和縮放修正,連接層和材料。

離線數(shù)據(jù)分析:

仿真和靈敏度分析,多樣品測(cè)量,生產(chǎn)批量處理。

MProbe系統(tǒng)示意圖

精度0.01nm or 0.01%
精確度0.2% or 1 nm
穩(wěn)定性0.02nm or 0.03%
光斑尺寸標(biāo)準(zhǔn)為 3mm , 可以小到 3μm
樣本大小從 1mm 起

主要參數(shù)

模型波長(zhǎng)范圍光譜儀探測(cè)器/檢測(cè)器/光源厚度范圍 *
VIS 400-1100 nm分光儀 F4/Si 3600像素點(diǎn)/

鎢-鹵素光源

15 nm to 20 mm

(option:up to 50 mm)

UVVisSR200-1100 nm分光儀 F4/ Si CCD 3600

像素點(diǎn)/氘-鎢鹵組合式光源

3 nm to 20 mm

(option:up to 50 mm)

HRVIS700-1000 nmHR分光儀F4/Si 3600 像素點(diǎn)/

鎢-鹵素光源

1 mm to 400 mm
NIR900-1700nm傳輸光譜儀(TVG)

F2/512 InGaAs/鎢-鹵素光源

100 nm-200 mm
VISNIR400-1700 nm分光儀 F4 Si CCD 3600 像素點(diǎn)

(Vischannel);傳輸光譜儀(TVG)

F2/512 InGaAs

PDA( NIR channel) 鎢-鹵素光源

15 nm to 200 mm
UVVISNIR200 -1700 nm分光儀F4 Si CCD 3600

像素點(diǎn)(Vis頻道);傳輸

氘-鎢鹵組合式光源

3 nm -200 mm
NIRScan900nm -5000nm掃描分光計(jì)/InGaAs/

MCT 探測(cè)器 (掃描時(shí)間 <60 秒 )

TH-SiN光源

100 nm -800 mm
XTXT 1590nm -1650nm傳輸光譜儀 (TVG)

F2/512 InGaAs/鎢 -鹵素光源

10 mm- 1 mm

* T, n & k 測(cè)量的厚度范圍為25nm – 5um

其他配置也是可以做到,歡迎原始設(shè)備制造商咨詢和定制開發(fā)項(xiàng)目。

對(duì)所有系統(tǒng)中的配件有一年的質(zhì)量保證。

產(chǎn)品咨詢

Semiconsoft MProbe薄膜測(cè)厚儀

廣州市固潤(rùn)光電科技有限公司

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