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面議
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簡介
PECVD工藝中由于等離子體中高速運動的電子撞擊到中性的反應氣體分子,就會使中性反應氣體分子變成碎片或處于激活的狀態容易發生反應;借助射頻等使含有薄膜組成原子的氣體,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜;具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質量好、針孔較少、不易龜裂等優點;
1200℃高真空PECVD系統通過滑動爐體來實現快速的升降溫,配置不同的真空系統來達到理想的真空度;同時通過多路高精度質量流量計控制不同氣體。 主要應用于高校、科研院所用于真空鍍膜、納米薄膜材料制備,生長薄膜石墨烯,金屬薄膜,陶瓷薄膜,復合薄膜等,也可作為擴展等離子清洗刻蝕使用。同時上海煜志良好的售后服務,使得該產品的整體評價遠超同行業標準。
主要技術參數
爐體結構 | 整機采用SUS304不銹鋼材質,流線型外觀,斷熱式結構; 日本技術真空吸附成型的優質高純氧化鋁多晶纖維固化爐膛,保溫性能好; 爐子底部裝有一對滑軌,移動平穩; 爐子可以手動從一端滑向另一端,實現快速的加熱和冷卻; 爐蓋可開啟,可以實時觀察加熱的物料 |
尺寸重量 | 1730*660*1130mm;凈重:210kg |
電源 | 電壓:AC220V 50/60Hz;功率:4KW |
爐管 | 高純石英管,高溫下化學穩定性強,耐腐蝕,熱膨脹系數極小; 尺寸:Φ60*1300mm |
法蘭及支撐 | SUS304不銹鋼快速法蘭,通過用高溫“O”型圈緊密密封可獲得高真空; 一個卡箍就能完成法蘭的連接,放、取物料方便快捷; 可調節的法蘭支撐,平衡爐管的受力支撐; 包含進氣、出氣、真空抽口針閥,KF密封圈及卡箍組合 |
加熱系統 | 加熱元件采用康泰爾發熱絲,表面負荷高、經久耐用; 加熱區長度:300mm 恒溫區長度:150mm; 工作溫度:≤1150℃; **溫度:1200℃; 升溫速率:10℃/min |
溫控系統 | 日本富士溫控儀表,64段控溫程序,可分步、分段 |
混氣系統 | 三路質量流量計:數字顯示、氣體流量自動控制;內置不銹鋼混氣箱,每路氣體管路均配有逆止閥;管路采用不銹鋼管,接口為Φ6卡套;每路氣體進氣管路配有不銹鋼針閥;通過控制面板上的旋鈕來調節氣體流量流量規格:0~1000sccm(可選); 流量精度:±1.5% |
高真空系統 | 采用雙級旋片真空泵+分子泵,極限真空可達4.0*10^-4Pa; 復合真空計,配置電阻規+電離規 抽速:110L/S; 冷卻:風冷; 電源:AC220V 50/60Hz |
射頻電源系統 | 輸出功率:0-300W;功率穩定度:±0.1%;射頻電源頻率:13.56MHz 穩定性±0.005%;**反向功率:120W;射頻電源電子輸出端口:UHF; 冷卻:風冷; 電源:AC187-253V 50/60Hz |
可選配件 | 各種剛玉、石英坩堝,石英管,計算機控制軟件 |
保修卡 | 整機一年保修(相關耗材除外) |
可根據客戶要求定制!