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面議
449
裝置概述
本裝置是CVD反應(yīng)裝置,擁有四個(gè)氣路,兩套獨(dú)立的氣路控制單元,加熱爐安裝在裝置的側(cè)面上下安裝,精密的儀表控制加熱爐爐溫和氣體流量,具有可靠性高,操作簡便,結(jié)構(gòu)緊湊的特點(diǎn)。該裝置可用于化學(xué)沉積及與CVD特點(diǎn)相似的材料制備過程。
技術(shù)參數(shù)
- 氣路:1-4(任選);
- 加熱爐:1-2(任選),加熱爐溫度Max:1000 ℃
- 氣體質(zhì)量流量器:0 - 500 mL/min(任選);
- 工作壓力:常壓;
- 溫度控制:± 0.5 ℃;
- 計(jì)算機(jī)控制(任選)。