粉體行業在線展覽
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直接聯系
上海瞬渺光電技術有限公司
德國
面議
589
本設備適用于評估和控制在半導體生產中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上， 例如：Silicon， Germanium， III-V including III-Nitrides.
CVP21的凈室和模塊化的系統設計結構使得本系統可以高效率，準確的測量半導體材料（結構，層）中的摻雜濃度分布．選用合適的電解液與材料接觸，腐蝕，從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制
CVP21的系統特點
• 堅固可靠的模塊化系統結構 ．光學，電子和化學部分相對獨立．
• 精確的測量電路模塊
• 強力的控制軟件，系統操作，使用簡便
• 完善的售后服務
特別推薦晶硅太陽能電池研究單位使用
知名用戶:
(Shin-Etsu SEH or ISFH)In the field of solar cell research， the CVP21 system is currently being used at many research centres. It was first used in 1999 by the Fraunhofer Institute for Solar Energy Systems (ISE) in Freiburg， Germany， and since then it has been installed at the Institute for Molecules and Materials (IMM) in Nijmegen， The Netherlands， the RWE Space Solar Power GmbH in Heilbronn， Germany， the Hahn-Meitner-Institute (HMI) in Berlin， Germany， and the Institute for Solar Energy Research (ISFH) in Hamelin/Emmerthal， Germany.
在德國和日本都有很多太陽能電池用戶使用，鑒于商業保密需要不能公開。
產品**結合我們在電化學方分布測試方面超過３０年的經驗和世界上***的電路系統?！?/p>
全自動， 特別適用于新材料， 如氮化鎵， 碳化硅材料，多晶硅等等。
有效檢測:
•外延材料
•擴散
•離子注入
適用材料:CVP21應用范圍寬，可以用于絕大多數的半導體材料。
IV族化合物半導體如：硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…
III-V族化合物半導體如：砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…
三元III-V族化合物半導體如：鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…
四元III-V族化合物半導體如：鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…
氮化物如：氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…
II-VI族化合物半導體如：氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…
其他不常見半導體材料(可以聯系我們進行樣品測量)。
載流子濃度測量范圍:
•** 1021/cm³
•*小 1011/cm³
深度解析度:
•**無上限
•*小可至1 nm （或更低）
模塊化系統結構:
•拓撲型結構
•實時監控腐蝕過程
•適于微小樣品及大尺寸的晶圓
全自動化系統:
•
精密的電路，電子系統
•
強力的軟件
**優質服務
提供免費樣品測試并提供測試報告。
對用戶承諾終身免費樣品測試每月1次。
保修期：2年，終身維修。
電化學CV分布儀（CV測試儀）
產品經理：Mike Zhai
聯系電話：021- 34635258/59/61/62
手 機：
郵 箱：mike@rays**********
