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YTC100B-MCZ電子級單晶爐

YTC100B-MCZ電子級單晶爐

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浙江晶泰半導體有限公司

浙江

產品規格型號
參考報價:

面議

品牌:

浙江晶泰

型號:

YTC100B-MCZ電子級單晶爐

關注度:

617

產品介紹

爐室資料Puller Data
坩堝直徑 Crucible  diameter:18〞- 22〞
單晶直徑 Crystal diameter:6〞- 8〞(150-200mm)
裝料量 Charge size:60-90kg
喉管直徑 Throat Diameter:14 ”(356mm)
主爐膛內徑 Main furnace Diameter:¢1000mm
主爐膛高度 Main furnace Height:1250mm
爐門開口尺寸 Pull Chamber Door Opening:15”×82”(380mm×2082mm)
主真空泵抽速 Vacuum Pumps-Main:221 cfm (6,260 l/min)
輔助真空泵抽速 (Recommended) Aux:60 cfm (1700 l/min)
排氣方式 Exhaust:底排氣 Exhaust end
副室類型 Deputy room type:全開門 Full-door
爐蓋類型 Lid Type:穹頂 Dome
磁場類型 Field type:勾型、水平型(可選) hook type, horizontal type (optional)
有導流筒提升、激光測距、CCD控徑
There draft tube upgrade, laser ranging, CCD control path
可提供二次加料 providing secondary feed

坩堝驅動單位 Crucible drive unit
提升速度 Lifting speed:  0-10 in/hr (0-254mm/hr)
*快提升速度 Crucible Jog Speed: (>250mm/min)
行程 Stroke:  18〞(457mm)
轉速 Rotation speed: 0-20 rpm(可逆)

晶驅動單位 Crystal drive unit
提升速度 Lifting speed: 0-20 in/hr (0-508mm/hr)
快速提升速度 Seed Jod Speed: 20 in/min (508mm/min)
轉速 Rotation speed: 0-50 rpm(可逆)

廠務要求Utilities
電源電壓(Source Voltage) :380V±10%
頻率 (Frequency):50/60 Hz
加熱功率 (Heating Power):IGBT 165KW底部加熱50KW
環境溫度(Ambient Temperature):5~40
相對濕度(Relative Humidity):<70%
入口端**水溫 (Maximum Inlet Temperature):77°F (25℃)      
*小流量(Minimum Flow Rate):78 gpm (295 l/min) total
入口出口壓力差(Diff. Supply Pressure):30 psi (2.1kg/cm2)  
主氬氣流量(Mass Flow Control(Max.)):200 slpm
吹掃流量 (Purge Flow):100 slpm
合計(Facility Total):300 slpm
推薦壓力 Recommended Supply Pressure:75 psi (5.3kg/cm2)
壓縮空氣(Air)
推薦壓力 Recommended Supply Pressure:90psi (6.3kg/cm2)

控制系統System Control
自動過程 Automatic process
標準PLC/PC控制 control by PLC/PC. Equipped as standard

外形尺寸Dimensions(approx.)
總高度 (closed):6433mm
寬 Width (W):2200mm
深 Depth (D):2368mm


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YTC100B-MCZ電子級單晶爐

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