粉體行業在線展覽
碳化硅單晶生長爐
面議
哈爾濱科友
碳化硅單晶生長爐
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一、生產對象:
生產六英寸碳化硅晶體
二、爐體結構:
石英管爐,石英管內徑400mm以上;抽空管道材質304;機架及門板材質為鋁合金等滿足結構強度的材料;線圈內徑≥420mm; 表面帶絕緣涂層處理
三、底座結構:
需裝載架承載熱區,并可由合適的裝載卸載設備從底部進行裝載或卸載。
四、設備參數:
加熱系統: | 6英寸線圈 | 進氣閥(控制): | 2個;工藝氬氣流量1100Sccm;氮氣流量55Sccm; |
工作溫度: | 滿足2650°C以內工藝要求;有效加熱功率≥40KW | 中頻感應電源: | 額定功率≥40KW,電流精度0.05%,諧振頻率(kHz)10-12KHz單高溫計配制,上測溫,僅用于溫度監視。測量范圍包括1000℃~3000℃,測溫精度 ±0.5%F.S.,測溫重復精度±2℃;測溫儀采用FLUKE E1RH系列紅外高溫計通氣 150sccm Ar 時工藝控壓(P)的精度:1500Pa以下的控壓精度:目標值±20Pa,1500Pa至10000Pa的控壓精度:目標值±50Pa |
線圈和坩堝相對位置移動系統: | 可以實現 慢速0.02~10㎜/h,快速≥100㎜/min的相對位置移動動作,升降系統需帶上下限位。使用機械泵加分子泵實現真空。 | 控制系統: | 全自動控制系統,實現整個長晶過程的全自動控制;采用功率控制模式。 |
冷態或空爐時包括放氣率的總漏率: | ≤5.0E-9mBar·L/s ;極限真空下,保壓12h,壓升≤5Pa。 | 控制系統數據和權限管理: | 可對長晶過程中的關鍵數據進行實時記錄并存檔,可追溯分析;直觀液晶顯示的人機交換界面,擁有用戶登錄及賬戶管理系統,為方便生產管理,可為不同的賬戶分配不同的權限。 |
工藝氣體流量測量控制器(MFC): | 2個或以上;流量計精度±0.25%F.S.(<35% F.S.) ±1.0% S.P.(≥35% F.S.) | 裝料量要求及結構承重: | 下爐蓋及升降系統能承重48公斤或以上重量。 |
工藝氣體流量控制系統: | Ar和N2可按工藝節點設定,進行全自動坡度調節。 | 出爐/進爐方向: | 下出料。 |