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牛津儀器PECVD等離子體處理系統
面議
牛津
牛津儀器PECVD等離子體處理系統
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PlasmaProTM NGP80 – 下一代等離子體處理系統
為等離子體刻蝕和沉積集合了開放式進樣工具。
多重處理技術:
PlasmaPro NGP80在同一個平臺上提供了通用的等離子體刻蝕和沉積技術解決方案,并且帶有便利的開放式進樣裝置。系統集合了微足印(smallfootprint)技術,可方便地進行定位及使用,且不會對工藝質量產生不良影響。
該設備是研發或小規模量產的理想工具,可處理從小塊樣品到直徑200mm的晶片。開放式進樣設計使晶片可以快速進片及退片,適合研究、原型開發及小量生產。
PlasmaPro NGP80的優勢:
關鍵組建方便裝卸有利于維護
兼容Semi S2/S8安全標準
新一代的總線控制系統可以極大地提升數據的檢索、傳送、重復匹配能力
新的增強用戶界面
利用前端軟件的錯誤及工具診斷功能實現快速的錯誤診斷
自動的清洗功能可以清除管道內的有毒物質并對管道進行沖洗,通過前端軟件實現安全且完全的自鎖清洗控制
工藝技術配置選項:
PlasmaPro NGP80 RIE
PlasmaPro NGP80 PECVD
PlasmaPro NGP80 RIE/PE
牛津儀器具有廣泛、可用的生長工藝。 有了在生長工藝發展上無比廣泛的經驗和我們應用工程師的支持, 牛津儀器向世界范圍內的生產商和研發者提供生長工藝解決方案的經驗為我們提供了世界上*強大的生長工藝庫和工藝能力。
以下是一些可供選擇的關鍵工藝--請與我們聯系,討論您的需要,我們的專業銷售和應用的工作人員將很高興地幫助您選擇合適的生長工藝和工具,以滿足您的要求。