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牛津儀器OmniGIS II氣體注入系統
面議
牛津
牛津儀器OmniGIS II氣體注入系統
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新產品氣體注入系統OmniGIS II,具有一套單端口、氣體源注入系統(GIS)。該系統可以允許用戶在SEM和FIB里構建納米結構,以達到以****的精度、速度和可用性。
在掃描電鏡或聚焦離子束樣品室中,氣體注入系統(GIS)直接在樣品上引入了可控制的流動氣體方案。氣體與顯微鏡的電子束或離子束相互作用,可以在材料表面進行刻蝕或沉積。應用范圍包括樣品制備和納米焊接,以及采用直寫式光刻技術建立納米結構,從而實現無掩模納米圖案。
OmniGIS II,牛津儀器的第二代氣體注入系統,具有獨特的特性,相比同行業的同類產品,它能使控制水平和準確性達到前所未見的高度。通氣口可以自動識別氣體源并快 速進行氣體源更換,同時可以安裝三種氣體源和另外兩種氣體。設備采用“流通式”載體的方法能促進高效元素傳送并快速處理,并且壓力反饋控制會自動調整到大 范圍真空室壓力,以實現高壓力下的快速處理或低壓力下的高分辨率納米圖案成形。