粉體行業在線展覽
ALE原子層刻蝕
面議
ALE原子層刻蝕
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我們的設備和工藝已通過充分驗證,正常運轉時間可達90%以上,一旦設備安裝完畢,可立即投入使用。PlasmaPro 100系列市場應用廣,包括但不限于: MEMS和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術。它具有足夠的靈活性,可用于研究和開發,通過打造質量滿足生產需求。
PlasmaPro 100 ALE 的特點:
準確的刻蝕深度控制;
光滑的刻蝕表面
低損傷工藝
數字化/循環式刻蝕工藝——刻蝕相當于ALD
高選擇比
能加工**200mm的晶圓
高深寬比(HAR)刻蝕工藝
非常適于刻蝕納米級薄層
III-V族材料刻蝕工藝
固體激光器InP刻蝕
VCSEL GaAs/AlGaAs刻蝕
射頻器件低損傷GaN刻蝕
硅Bosch和超低溫刻蝕工藝
類金剛石(DLC)沉積
二氧化硅和石英刻蝕
用特殊配置的PlasmaPro FA設備進行失效分析的干法刻蝕解剖逆工藝,可處理封裝好的芯片, 裸晶片,以及200mm晶圓
高質量PECVD沉積的氮化硅和二氧化硅,用于光子學、電介質層、鈍化以及諸多其它用途
用于高亮度LED生產的硬掩模沉積和刻蝕