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晶體生長方法：CZ/MCZ

導電型號：P/N

直徑：50-350mm

摻雜物：硼/磷

電阻率：0.001-100.Ω.cm

少子壽命：>10μs

晶向：<100>、<110>、<111>

熔點：1420℃

密度：2.33g/cm3

位錯密度：無位錯

純度：6N-9N

氧含量（ppma）：≤20

碳含量（ppma）：≤1.0

電阻率晶向不均勻度：<15%

外觀：無劃痕、缺口等不良現象