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CVD金剛石膜熱沉片
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CVD金剛石膜熱沉片
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CVD金剛石膜熱沉片
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CVD金剛石的一個重要性質是它具有極高的熱導率,在室溫條件下金剛石的熱導率是銅的五倍。同時它本身又是極好的絕緣材料,因此可以應用金剛石膜制作高功率光電子元件的散熱器材料。
熱學級CVD金剛石目前的主要應用是高功率半導體二極管激光器，二極管激光器陣列的熱沉(散熱片)，GaN on diamond復合片和衛星擴熱板。主要用于光通訊(光端機)和軍事。目前高功率二極管激光器陣列的輸出功率已經達到1千瓦以上, 不僅在軍事, 將來在民用技術上肯定會有廣泛用途(如用作激光加工)。
半導體芯片的金剛石封裝是一個市場潛力非常大的應用領域, 在技術上已經沒有太大的困難, 主要的問題是產品的性能價格比。對于普通的大規模集成電路芯片來說, 采用CVD金剛石膜封裝在經濟上是不合算的, 主要的市場在開發高功率(Power ICs)或高頻率(微波器件)或抗輻射的特殊高價值半導體器件封裝。
我公司利用直流等離子體噴射方法生產的CVD金剛石膜的熱導率已經達到2000W/m.K,完全可以滿足在軍事和民用技術方面及某些特殊領域對散熱的要求。
應用領域
大功率集成電路，激光二極管，金剛石上的GaN（GOD）以及衛星電子系統的散熱器的底座。
熱導率（Tc）
標準：>1200 W/m?K
高：>1500 W/m?K
優：>1800 W/m?K (**2000 W/m?K）
