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PECVD設備（等離子體增加強化學氣相沉積PECVD）主要用于在潔凈真空環(huán)境下進行氮化硅和氧化硅的薄膜生長；采用單頻或雙頻等離子增強型化學氣相沉積技術，是沉積高質量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工藝設備。

設備用途和功能特點

1、該設備是高真空單頻或雙頻等離子增強化學氣相沉積PECVD薄膜設備，主要用于制備氮化硅和氧化硅薄膜。

2、設備保護功能強，具備真空系統(tǒng)檢測與保護、水壓檢測與保護、相序檢測與保護、溫度檢測與保護。

3、配置尾氣處理裝置。