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背景介紹：

目前制備高質量石墨烯的方法，有膠帶剝離法、碳化硅或金屬表面外延生長法和化學氣相沉積法（CVD），前兩種方法效率低，不適于大量制備。而迄今由CVD法制備的石墨烯，一般是由納米級到微米級尺寸的石墨烯晶疇拼接而成的多晶材料。

石墨烯優異的電、光、強度等眾多優異性質使其在電子學、自旋電子學、光電子學、太陽能電池、傳感器等領域有著重要的潛在應用，但大規模高質量制備技術是制約其進入實際應用的瓶頸之一。

牧科納米技術團隊經過長時間的技術攻關，不用昂貴的金屬基體，在常見的銅襯底，以低濃度甲烷和高濃度氫氣通過常壓CVD法，成功制備出了100微米到幾個毫米級六邊形單晶石墨烯及其構成的石墨烯薄膜。而且可以轉移到任意襯底上，方便取用。

該方法轉移的單晶石墨烯具有很高的質量，將其轉移到Si/SiO₂基體上制成場效應晶體管，測量顯示該單晶石墨烯室溫下的載流子遷移率可達7100cm²V^-1s^-1。

常見的銅基體上生長大尺寸單晶石墨烯及其薄膜技術的突破，為石墨烯基本物性的研究及其在高性能納電子器件、透明導電薄膜等領域的實際應用奠定了材料基礎。

石墨烯單晶表征數據：

200um級別石墨烯單晶在銅襯底上的光學顯微鏡照片：