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產品名稱

中文名稱: CVD氧化硅/硅基底單層二硒化鎢

英文名稱：Single Layer WSe2 on SiO2/Si

性質

形態：薄膜

參數

基底尺寸：9 mmx9 mm

WSe2片徑范圍：20-50 μm

氧化層：300nm

厚度：0.6-0.8 nm

應用

先豐納米**推出CVD法制備的單層二硒化鎢，該產品具有缺陷少，層數可控，優異的光學性質，是研究層數和熒光效應和制備器件的優異材料，歡迎咨詢。