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  1.氮化鎵

       氮化鎵是極穩(wěn)定的化合物，又是堅硬的高熔點材料，具有高電離度且硬度又高， 是一種良好的涂層保護材料。它是一種具有較大禁帶寬度的半導體,屬于所謂寬禁 帶半導體之列，是微波功率晶體管的優(yōu)良材料，也是藍色光發(fā)光器件中的一種具有重要應用價值的半導體。

       2.氮化鎵材料

       氮化豫材料的研究與應用是目前全球半導體研究的前沿和熱點，是研制微電子 器件、光電子器件的新型半導體材料，并與SIC、金剛石等半導體材料一起，被譽為是 繼**代Ge、Si半導體材料、第二代GaAsJnP化合物半導體材料之后的第三代半導 體材料。它具有寬的直接帶隙、強的原子鍵、高的熱導率、化學穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕丨等性質和強的抗福照能力，在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應用方面有著廣闊的前景。

       3.主要應用

       新型電子器件：GaN材料系列具有低的熱產生率和局的擊芽電場，是研制局溫大功率電子益件和局頻微波器件的重要材料。

       光電器件：GaN材料系列是一種理想的短波長發(fā)光器件材料，GaN及其合金的帶隙覆蓋了從II色到紫外的光譜范圍，可應用于藍色和綠色LED生產。藍色發(fā)光器件在高密度光盤的信息存取、全光顯示、激光打印機等領域都有著巨大的應用市場。

       探測器方面：已研制出GaN紫外探測器，在火焰探測、導彈預警等方面有重要應用。