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主要技術指標：

基材厚度：PET:10-125μm；PI:8-75μm

有效鍍膜幅寬：1300mm

6組濺射陰極，其中1組孿生陰極

純金屬濺射靶材利用率≥35%；反應濺射靶材利用率≥30%；

真空抽率：卷繞室從大氣狀態到2×10-2Pa，需要時間≤35min 

鍍膜室（清潔、空載）極限壓力：≤5×10-4 Pa；

卷繞室壓升率（清潔、空載）：≤0.5Pa/hr（深冷冷阱工作）

放、收卷徑：400mm(**)；放、收卷芯軸直徑：6 inch(150mm) ；

反饋控制：磁控濺射反饋補氣響應時間≤45μs

鍍膜均勻性，重復性測試：在1250mm幅寬范圍內濺射均勻性≤±3%

反應濺射氣體反饋控制系統（可選）：實現對反應濺射的精細控制；

前處理：烘烤解熱和線性離子源

在線光學反射率傳感系統或歐姆測量傳感系統

張力控制范圍：0-500N ，控制精度：±1%

基膜走速：0.5—10米/分鐘