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德國WEP公司的ECV(型號為CVP21)在太陽能光伏行業(yè)的應(yīng)用非常普及,市場占有率甚至達(dá)95%以上,是光伏行業(yè)電池技術(shù)研究和發(fā)展的必要工具之一,幾乎知名的光伏企業(yè)都有使用。
WEP公司的ECV設(shè)備:CVP21(見圖)
1. ECV又名擴(kuò)散濃度測試儀,結(jié)深測試儀等,即電化學(xué)CV法測擴(kuò)散后的載流子濃度分布(見圖);
2. 相比其他方法如SRP,SIMS等,ECV具有測量使用方便,價(jià)格低的優(yōu)點(diǎn);
WEP公司的ECV具有獨(dú)特技術(shù)可應(yīng)用于測試電池片的絨面樣片,這也是其被廣泛使用的原因之一;
4. CVP21所能測量的深度范圍是nm---10um;
5. 測量的載流子濃度范圍在10e12cm-3 < N < 10e21cm-3之內(nèi)都無需校準(zhǔn);
6. 測量擴(kuò)散樣片時(shí),樣片是保持“Dry in”和“Dry out”,并無需做特別處理;
7. 其所用到的化學(xué)試劑本地就能買到,價(jià)格低且用量很少買一次可以用好幾年;
8. 從CVP21所測得的數(shù)據(jù)能帶給研發(fā)或工藝人員三方面的信息:一是表面濃度,二是濃度變化曲線,三是結(jié)深(見圖);
9. 表面濃度對于選擇和使用適合的漿料很有幫助,如粘合性,接觸電阻等的匹配問題;
10. 濃度分布曲線對掌握和改進(jìn)擴(kuò)散工藝提供依據(jù);
11. 結(jié)深的信息對電池工藝的總體把握來說是必須的,也是擴(kuò)散工藝時(shí)常需要抽測的項(xiàng)目之一;
12. 參考:測試出的幾種擴(kuò)散濃度分布曲線(見圖);
13. 廣泛的客戶群:Q-CELL, NREL, ISFH, SHELL,ECN,RWE,HMI,SISE尚德,天合,晶澳,英利,交大泰陽,BYD,海潤,晶科,吉陽,南玻,格林保爾…
儀器簡介:電化學(xué)ECV,摻雜濃度檢測(C-V Profiling)PN結(jié)深測試
電化學(xué)ECV可以用于太陽能電池、LED等產(chǎn)業(yè),是化合物半導(dǎo)體材料研究或開發(fā)的主要工具之一。電化學(xué)ECV主要用于半導(dǎo)體材料的研究及開發(fā),其原理是使用電化學(xué)電容-電壓法來測量半導(dǎo)體材料的摻雜濃度分布。電化學(xué)ECV(CV-Profiler, C-V Profiler)也是分析或發(fā)展半導(dǎo)體光-電化學(xué)濕法蝕刻(PEC Etching)很好的選擇。
本設(shè)備適用于在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過程的性能評估和過程控制,可以測試多種不同的材料,例如:硅, 鍺, III-V 族和 III-N族材料等。CVP 21的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)讓測量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布變得高效、準(zhǔn)確。選用合適的電解液與材料接觸、腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制 。
CVP21的系統(tǒng)特點(diǎn):
*堅(jiān)固可靠的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu) .光學(xué),電子和化學(xué)部分相對獨(dú)立.
*精確的測量電路模塊
*強(qiáng)力的控制軟件,系統(tǒng)操作,使用簡便
*完善的售后服務(wù)
提供免費(fèi)樣品測試并提供測試報(bào)告。
保修期:2年,終身維修。
對用戶承諾終身免費(fèi)樣品測試每月1次。
技術(shù)參數(shù):
我們在電化學(xué)方分布測試產(chǎn)品方面有超過30年的經(jīng)驗(yàn)和世界上***的電路系統(tǒng)。
全自動,特別適用于新材料,如氮化鎵,碳化硅材料等。
有效檢測: 外延材料、擴(kuò)散 、離子注入
適用材料: CVP21應(yīng)用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。
IV族化合物半導(dǎo)體如:硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等;
III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等;
三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等;
四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等;
氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等;
II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等;
其他不常見半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測量)。
載流子濃度測量范圍:
*** 1021/cm3; *小 1011/cm3
深度解析度: **無上限;*小可至1 nm (或更低)
模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu): 拓?fù)湫徒Y(jié)構(gòu),實(shí)時(shí)監(jiān)控腐蝕過程,適于微小樣品及大尺寸的晶圓,全自動化系統(tǒng)。
主要特點(diǎn):
CVP21電化學(xué)ECV是半導(dǎo)體載流子濃度分布**的解決方案:
1, CVP21應(yīng)用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。
* IV族化合物半導(dǎo)體如:硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等;
* III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等;
* 三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等;
* 四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等;
* 氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等;
* II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等;
* 其他不常見半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測量)。
2, CVP21可用于不同形態(tài)的樣品:多層結(jié)構(gòu)的薄膜材料、基底沒有限制(基底導(dǎo)電或絕緣均可)、標(biāo)準(zhǔn)樣品尺寸從4*2mm ~ 8英寸晶圓(更小尺寸樣品請預(yù)先咨詢我們)。
3, CVP21擁有很好的分辨率范圍。
* 載流子濃度分辨率范圍從< 1012 cm-3 ~ > 1021 cm-3
* 深度分辨率范圍從1nm ~ 100um (依樣品類型、樣品質(zhì)量決定)
4, CVP21是一套完整的電化學(xué)ECV測量系統(tǒng)。
* 系統(tǒng)可靠性高(儀器的電子、機(jī)械、光學(xué)、液體傳動幾個(gè)主要部分均經(jīng)特殊設(shè)計(jì))
* 免校準(zhǔn)的系統(tǒng)(完全自校準(zhǔn)的電子系統(tǒng),電纜電容均無須用戶再次校準(zhǔn))
* 易于使用(全用戶管理軟件優(yōu)化,在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境或生產(chǎn)環(huán)境均易于使用)
* 照相機(jī)鏡頭控制(過程在線由彩色照相機(jī)鏡頭控制;每次測量后,鏡頭數(shù)據(jù)均可取出。)
* 實(shí)驗(yàn)菜單(測量菜單預(yù)定義,優(yōu)先權(quán)用戶可以很容易修改或改進(jìn)測量菜單)
* Dry-In/Dry-Out: Auto-Load/Unload/Reload (電化學(xué)樣品池自動裝載/卸載/再裝載,優(yōu)先權(quán)用戶易于修改,進(jìn)行樣品dry-in/dry-out處理。)
全自動電化學(xué)CV分布儀 CVP21光伏太陽能領(lǐng)域的**! 眾多科研和半導(dǎo)體領(lǐng)域用戶的的**!
本設(shè)備適用于評估和控制在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的外延過程并且以被使用在多種不同的材料上, 例如:Silicon, Germanium, III-V including III-Nitrides.
CVP21的凈室和模塊化的系統(tǒng)設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)使得本系統(tǒng)可以高效率,準(zhǔn)確的測量半導(dǎo)體材料(結(jié)構(gòu),層)中的摻雜濃度分布.選用合適的電解液與材料接觸,腐蝕,從而得到材料的摻雜濃度分布。電容值電壓掃描和腐蝕過程由軟件全自動控制
CVP21的系統(tǒng)特點(diǎn)
- 堅(jiān)固可靠的模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu) .光學(xué),電子和化學(xué)部分相對獨(dú)立.
- 精確的測量電路模塊
- 強(qiáng)力的控制軟件,系統(tǒng)操作,使用簡便
- 完善的售后服務(wù)
全自動, 特別適用于新材料, 如氮化鎵, 碳化硅材料,多晶硅等等?!?/strong>
有效檢測:
- 外延材料
- 擴(kuò)散
- 離子注入
適用材料:CVP21應(yīng)用范圍寬,可以用于絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料。
IV族化合物半導(dǎo)體如:硅(Si)、鍺(Ge)、碳化硅(SiC)等…
III-V族化合物半導(dǎo)體如:砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)、磷化鎵(GaP)等…
三元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵砷(AlGaAs)、鎵銦磷(GaInP)、鋁銦砷(AlInAs)等…
四元III-V族化合物半導(dǎo)體如:鋁鎵銦磷(AlGaInP)等…
氮化物如:氮化鎵(GaN)、鋁鎵氮(AlGaN)、銦鎵氮(InGaN)、鋁銦氮(AlInN)等…
II-VI族化合物半導(dǎo)體如:氧化鋅(ZnO)、碲化鎘(CdTe)、汞鎘碲(HgCdTe)等…
其他不常見半導(dǎo)體材料(可以聯(lián)系我們進(jìn)行樣品測量)。
載流子濃度測量范圍:
- ** 1021/cm3
?*小 1011/cm3
深度解析度:
- **無上限
- *小可至1 nm (或更低)
模塊化系統(tǒng)結(jié)構(gòu):
- 拓?fù)湫徒Y(jié)構(gòu)
- 實(shí)時(shí)監(jiān)控腐蝕過程
- 適于微小樣品及大尺寸的晶圓
全自動化系統(tǒng):
- 精密的電路,電子系統(tǒng)
- 強(qiáng)力的軟件
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
自動劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
HSE系列等離子刻蝕機(jī)