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面議
682
紅外-光致阻值改變(IR-OBIRCH)分析系統(tǒng)“μAMOS”是一款半導(dǎo)體失效分析儀,使用IR-OBIRCH方式來(lái)定位漏電流路徑和LSI器件中的異常阻抗接觸部件。在特定頻率下,使用lock-in單元來(lái)探測(cè)OBIRCH信號(hào)可大大提高信噪比。而且,通過(guò)使用大電流探針頭,也可以對(duì)大電流高電壓工作的器件進(jìn)行分析。
特性
圖像空間分辨率高
背面觀測(cè)(λ=1.3 μm)
可觀測(cè)高摻雜基底(Epi-sub)
使用紅外激光(λ=1.3 μm)意味著在半導(dǎo)體視場(chǎng)內(nèi)不會(huì)產(chǎn)生OBIC信號(hào),因此可探測(cè)到缺陷引發(fā)的OBIRCH信號(hào)
可以測(cè)量4象限電壓/電流
可升級(jí)到微光顯微鏡(選配)
應(yīng)用
漏電流路徑定位
IDDQ失效分析
金屬缺陷探測(cè)
金屬線缺陷探測(cè)(空,硅節(jié))
觸控(過(guò)孔)異常阻抗部件探測(cè)
金屬化過(guò)程監(jiān)控
*:IDDQ (Quiescent power supply current,靜態(tài)供電電流):IDDQ為MOS管開關(guān)完成后流過(guò)的靜態(tài)供電電流。
參數(shù)
產(chǎn)品名稱 | uAMOS-1000 |
---|---|
尺寸/重量 | 主單元:1360 mm(W)×1410 mm(D)×2120 mm(H), Approx. 900 kg 控制臺(tái):880 mm (W)×700 mm (D)×1542 mm (H), Approx. 255 kg 選配桌:1000 mm (W)×800 mm (D)×700 mm (H), Approx. 45 kg |
線電壓 | AC220 V (50 Hz/60 Hz) |
功耗 | 約 3000W |
真空度 | 約80 kPa或更大 |
壓縮空氣 | 0.5 MPa to 0.7 MPa |
可用器件
晶片* | 前面 | 切塊后的芯片到300mm晶片 |
背面 | 200/300 mm晶片(其他尺寸晶片可通過(guò)增加選配來(lái)處理) |
*:與選用探針的規(guī)格有關(guān)
封裝后IC | 前面 | 芯片打開到表面的IC |
背面 | 鏡面拋光到硅基底的IC |
紅外共焦激光顯微鏡
掃描速度(秒/圖) | ||||
512×512 | 1 | 2 | 4 | 8 |
1024×1024 | 2 | 4 | 8 | 16 |
激光*
1.3 μm激光二極管 | 輸出: 100 mW |
1.3 μm高功率激光器(選配) | 輸出: 超過(guò)400 mW |
1.1 μm脈沖激光器(選配) | 輸出: 200 mW (CW), 800 mW (pulse) |
*: For 1.3 μm laser, one of two laser can be integrated.
光平臺(tái)移動(dòng)范圍*
X | ±20 mm |
Y | ±20 mm |
Z | 75 mm |
*:由于探針或者樣品平臺(tái)的阻礙,該值肯會(huì)更小
透鏡放大
一個(gè)轉(zhuǎn)臺(tái)可選透鏡數(shù)達(dá)5個(gè)。
透鏡 | 數(shù)值孔徑 | WD (mm) | 視場(chǎng) | μAMOS-1000 |
1×: A7649-01 | 0.03 | 20 | 13×13 | 標(biāo)配 |
2×: A8009 | 0.055 | 34 | 6.5×6.5 | 選配 |
M-PLAN-NIR-5×: A11315-01 | 0.14 | 37.5 | 2.6×2.6 | 標(biāo)配 |
M-PLAN-NIR-20×: A11315-03 | 0.40 | 20 | 0.65×0.65 | 標(biāo)配 |
M-PLAN-NIR-50×: A11315-04 | 0.42 | 17 | 0.26×0.26 | 選配 |
NIR 50×: A8756-012 | 0.42 | 18.3 | 0.26×0.26 | 選配 |
High NA50×: A801812 | 0.76 | 12 | 0.26×0.26 | 選配 |
M-PLAN-NIR-100×: A11315-05 | 0.50 | 12 | 0.13×0.13 | 標(biāo)配 |
NIR 100×: A8756-022 | 0.50 | 13.3 | 0.13×0.13 | 選配 |
M-PLAN-NIR-100×HR: A11315-061 | 0.70 | 10 | 0.13×0.13 | 選配 |
G-PLAN-APO-NIR-100×HR: A11315-0812 | 0.70 | 6 | 0.13×0.13 | 選配 |
1:用1來(lái)標(biāo)記的鏡頭有兩種可選
2:用2來(lái)標(biāo)記的鏡頭帶玻璃厚度補(bǔ)償功能
獲取OBIRCH圖像
電壓固定型 | 電流固定型 | 微電流放大器 | |
施加電壓 | ±10 mV to ±10 V | ±10 mV to ±10 V | ±10 mV to ±25 V |
**電流 | 100 mA | 100 mA | 100 μA |
探測(cè)率 | 1 nA1 | 1 μV2 | 3 pA1 |
1:為輸入放大器的**可探測(cè)脈沖信號(hào)
2:計(jì)算值
外形圖(單位:mm)
XRD-晶向定位
CVD 真空化學(xué)氣相沉積設(shè)備
自動(dòng)劃片機(jī)
BTF-1200C-RTP-CVD
HSE系列等離子刻蝕機(jī)