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根據(jù)SEMI標(biāo)準(zhǔn)PV9-1110的非接觸式和無損成像(μPCD / MDP(QSS))、光電導(dǎo)性、電阻率和p/n檢查。

晶圓切割，爐內(nèi)監(jiān)控，材料優(yōu)化等。

日常壽命測(cè)量，質(zhì)量控制和檢驗(yàn)

**產(chǎn)量：>240塊/天或>720片/天

測(cè)量速度：對(duì)于156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠，<4分鐘

良品率提升：1mm切割標(biāo)準(zhǔn)為156x156x400mm標(biāo)準(zhǔn)晶錠

質(zhì)量控制：用于過程和材料的質(zhì)量監(jiān)控，如單晶硅或多晶硅

沾污檢測(cè)：起源于坩堝和生產(chǎn)設(shè)備的金屬(Fe)

可靠性：模塊化和堅(jiān)固耐用的工業(yè)儀器，更高可靠性，運(yùn)行時(shí)間> 99%

可重復(fù)性:> 99.5%電阻率：可做面掃描，不需經(jīng)常校準(zhǔn)

精密材料研發(fā)

鐵濃度測(cè)定

陷阱濃度測(cè)定

硼氧測(cè)定依賴于注入的測(cè)量等

特性

無接觸和無破壞的半導(dǎo)體檢測(cè)

特殊“underneath the surface”壽命測(cè)量技術(shù)

對(duì)不可見缺陷的可視化測(cè)試具有很高靈敏度

自動(dòng)設(shè)置硅錠切割標(biāo)準(zhǔn)

空間分辨p/n電導(dǎo)型變換檢測(cè)