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太陽(yáng)能電池鈍化用ALD設(shè)備

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南京伯奢詠懷電子科技有限公司

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產(chǎn)品介紹

晶硅太陽(yáng)能電池表面鈍化用高產(chǎn)出原子層沉積系統(tǒng)

ALD for surface passivation of c-Si solar cells

應(yīng)用：

1.CIGS太陽(yáng)能電池?zé)o鎘緩沖層沉積

2.晶硅太陽(yáng)能電池表面鈍化層沉積

3.大規(guī)模生產(chǎn)的應(yīng)用

4.工業(yè)全自動(dòng)生產(chǎn)設(shè)備

5.高產(chǎn)量：高達(dá)4500晶片/小時(shí)(156 X 156 m㎡)

特征：

1.良好的厚度＆均勻性好的Al2O3薄膜

2.用于短氣體循環(huán)時(shí)間的先進(jìn)工藝套件和小體積

3.具體化的ALD機(jī)械裝置

4.全集成工藝模塊

5.操作過(guò)程簡(jiǎn)單

6.自動(dòng)式操作

技術(shù)規(guī)格：

Model	Material	Wafer Size(mm²)	Thickness (nm)	Throughput(wph)
Lucida^TM GS200	Al₂O₃	156x156	4	≥550
Lucida^TM GS800	Al₂O₃	156x156	4	≥2300
Lucida^TM GS1200	Al₂O₃	156x156	4	≥3400
Lucida^TM GS1600	Al₂O₃	156x156	4	≥4500
Lucida^TM GS6000	Al₂O₃	156x156	4	≥6000

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太陽(yáng)能電池鈍化用ALD設(shè)備

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