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電弧等離子體沉積系統(tǒng)

日本ADVANCE RIKO公司致力于電弧等離子體沉積系統(tǒng)（APD）利用脈沖電弧放電將電導(dǎo)材料離子化，產(chǎn)生高能離子并沉積在基底上，制備納米級(jí)薄膜鍍層或納米顆粒。

電弧等離子體沉積系統(tǒng)利用通過(guò)控制脈沖能量，可以在1.5nm到6nm范圍內(nèi)精確控制納米顆粒直徑，活性好，產(chǎn)量高。多種靶材同時(shí)制備可生成新化合物。金屬/半導(dǎo)體制備同時(shí)控制腔體氣氛，可以產(chǎn)生氧化物和氮化物薄膜。高能量等離子體可以沉積碳和相關(guān)單質(zhì)體如非晶碳，納米鉆石，碳納米管 形成新的納米顆粒催化劑。

主要應(yīng)用領(lǐng)域

• 制備新金屬化合物，或制備氧化物和氮化物薄膜（氧氣和氮?dú)夥諊?/span>

• 制備非晶碳，納米鉆石以及碳納米管的納米顆粒

• 形成新的納米顆粒催化劑（廢氣催化劑，揮發(fā)性有機(jī)化合物分解催化劑，光催化劑，燃料電池電極催化劑，制氫催化劑）

• 用熱電材料靶材制備熱電效應(yīng)薄膜

技術(shù)原理

1. 在觸發(fā)電極上加載高電壓后，電容中的電荷充到陰極（靶材）上。

2. 真空中的陽(yáng)極和陰極（靶材）間，電子形成了蠕緩放電，并產(chǎn)生放電回路，靶材被加熱并形成等離子體。

3. 通過(guò)磁場(chǎng)控制等離子體照射到基底上，形成薄膜或納米顆粒。

適用性

APD適用于元素周期表中大部分高導(dǎo)電性金屬，合金以及半導(dǎo)體。所用原料為直徑10mmX17mm長(zhǎng)圓柱體或管狀體，且電阻率小于0.01 ohm.cm。下面的元素周期表顯示了可制備的材料，綠色代表完全適用，黃色代表在一定條件下適用。

產(chǎn)品特點(diǎn)

系統(tǒng)參數(shù)

產(chǎn)品對(duì)比