粉體行業在線展覽
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北京眾星聯恒科技有限公司
日本
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利用具有高耐用性、SiC膜和清晰形狀的Ta X射線吸收體的FZP能生產堅韌、高精確、清晰的產品。
NTT-AT公司的FZP因其高質量而在世界上被廣泛用于產品生產。
NTT-AT公司的由SiC膜和Ta吸收體圖案組成的菲涅耳波帶板（FZP）具有出色的高耐X射線輻射性、高分辨率和高對比度。
只有NTT-AT公司提供基于SiC膜的菲涅耳波帶板（FZP）具有出色的高耐X射線輻射性。NTT-AT的FZP由干法蝕刻的Ta組成。吸收體圖案清晰，S/N比高，成像缺陷少， 能理想地應用于X射線顯微鏡、X射線微光束輻射和X射線成像。
另外，還提供用于軟X射線和極紫外（EUV、XUV）領域的Ta圖案／SiN膜型FZP和Au板圖案／SiN 膜型FZP。并提供臺階式（基諾全息照片）FZP。
能用于X射線顯微鏡、EUV顯微鏡、X射線微光束輻射和同步加速器輻射光束監視等各種X射線應用。
出色的高耐X射線輻射性
*小區域寬度達25納米
可定制FZP
| 型號 | 寬高 比 | 膜 材料 | 膜 厚度 （微米） | ΔRn （納米） | D （微米） | N | Tm （納米） |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FZP-S38/84 | 4.2 | SiN | 0.15 | 38 | 84 | 550 | 160 |
| FZP-S50/80 | 5 | SiN | 0.2 | 50 | 80 | 400 | 250 |
| FZP-S40/155 | 5 | SiN | 2 | 40 | 155 | 970 | 200 |
| FZP-S50/330 | 8 | SiN | 1 | 50 | 330 | 1，650 | 400 |
| FZP-S86/416 | 8 | SiN | 2 | 86 | 416 | 1，200 | 700 |
| FZP-100/155 | 8 | SiN | 2 | 100 | 155 | 388 | 800 |
| FZP-173/208 | 5.8 | SiN | 2 | 173 | 208 | 300 | 1，000 |
| FZP-200/206 | 8 | SiN | 2 | 200 | 206 | 255 | 1，600 |
| FZP-C234/2500 | 0.6 | SiC | 0.2 | 234 | 2，500 | 2，670 | 150 |
※規格可能會變更，恕不預先通告。
Rn：*外區域寬度
D：直徑
N：全區域
Tm：Ta厚度
可按要求定制設計FZP，滿足用戶的特殊X射線能量、光學設置和聚焦、圖像性能。如果本公司的標準產品商品目錄中沒有所需的產品，
圖案示意圖 （φ2.5mm）（光學顯微鏡） | 以對角觀察的SEM圖 （SEM） |
二進制型 | 臺階（基諾全息照片）式 |
| *小區域寬度（*外區域） | 25納米 |
|---|---|
| **直徑 | 5毫米 |
| 膜材料 | SiN， SiC |
| 膜厚度 | 0.2至2微米 |
| 吸收體材料 | Ta |
| 吸收體厚度 | 0.1至2微米 |
| Si基板形狀 | 10平方毫米 |
| Si基板厚度 | 1毫米 |
※我們可與用戶商討不同需求。
菲涅耳波帶板（FZP）直徑：250微米，Ta厚度：125納米，*外區域寬度：25納米，膜：SiC 2.0微米
菲涅耳波帶板（FZP）直徑：100微米，Ta厚度：2.5微米，*外區域寬度：250納米，膜：SiN 2.0微米
菲涅耳波帶板（FZP）直徑：100微米，Ta厚度：4.0微米，*外區域寬度：400納米，膜：SiC 2.0微米
菲涅耳波帶板（FZP）中間區域的SEM 圖：臺階（基諾全息照片）式菲涅耳波帶板（FZP）、Ta圖案
