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>InGaAs單光子雪崩光電二極管

InGaAs單光子雪崩光電二極管

直接聯(lián)系

筱曉(上海)光子技術(shù)有限公司

加拿大

產(chǎn)品規(guī)格型號(hào)
參考報(bào)價(jià):

面議

關(guān)注度:

261

產(chǎn)品介紹

MP5522型系列蓋革模式InGaAs 單光子雪崩光電二極管

2 產(chǎn)品特性The features

專(zhuān)為單光子探測(cè)應(yīng)用設(shè)計(jì),蓋革模式工作

響應(yīng)光譜范圍1000nm-1650nm

2 應(yīng)用領(lǐng)域Applications

量子通信

時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)

光時(shí)域反射計(jì)

3D 成像

激光測(cè)距

DNA測(cè)序

光學(xué)相干層析

熒光檢測(cè)及其光譜分析

光電性能The opto-eletronic characteristics

靜態(tài)參數(shù)(@Tc=22±3℃

特性參數(shù)Parameters

符號(hào)

Sym.

測(cè)試條件Test conditions

*小Min

典型Typ

**

Max

單位

Unit

光譜響應(yīng)范圍

Response Spectrum

λ

10001650

nm

響應(yīng)度

Reponsivity

Re

λ=1.55μmVR=VBR-2Vφe=1μw

10

14

A/W

反向擊穿電壓

Reverse breakdown voltage

VBR

ID=10mATc=22℃

65

75

V

工作電壓溫度系數(shù)

Operating voltagetemperature coefficient

γ

Tc=-60+30℃ID=10mA

0.1

V/℃

暗電流

Dark current

ID

φe=0μwVR=VBR-2V

3.0

nA

結(jié)電容

Total capacitance

Ctot

1MHzVR=VBR-2V

0.2

pF

蓋革模式下性能參數(shù)

參數(shù)

Parameter

測(cè)試條件

Test conditions

MP5512Y/MP5522Y

MP5513Y/MP5523Y

單位

Unit

*小值 Min

**值 Max

*小值 Min

**值 Max

暗計(jì)數(shù)率(DCR)

fgate=50kHzTgate=10nsSPDE=10%

10

3

kHz

單光子探測(cè)效率(SPDE)

fgate=fpulse=50kHzTgate=10ns, DCR=10kHzλ=1.55μm,

0.1 photon per pulse

10

20

%

后脈沖概率(APP)

@2us, fpulse=50kHzTgate=10ns, SPDE=10%, λ=1.55μm,

0.1 photon per pulse

2

2

%

測(cè)試條件補(bǔ)充說(shuō)明:

1 MP5512Y/MP5522Y測(cè)試溫度為TA= -35℃MP5513Y/MP5523Y測(cè)溫度為TA= -43℃

2過(guò)偏壓Vob范圍:1.0~2.0V

3直流工作電壓Vdc范圍:(Vbr-1V)~(Vbr-2V)

以上數(shù)據(jù)僅供參考,用戶需要根據(jù)實(shí)際的應(yīng)用來(lái)選擇適合的工作條件。

2 **額定值Maximum ratings

參數(shù)

條件

*小值

**值

單位

正向電流

Forward current

連續(xù)方式

1

mA

正向電壓

Forward voltage

連續(xù)方式

1

V

反向電流

Reverse current

連續(xù)方式

1

mA

反向電壓

Reverse voltage

連續(xù)方式

Vbr+5

V

脈沖方式

Vbr+10

入射光功率Optical Power

連續(xù)方式

(CW)

1

mW

貯存溫度

storagetemperature

-55

85

2 典型特性曲線The typical characteristical curve

Fig. 1 DCR and APP vs Tempearture of the MP5522Y/MP5512Y when PDE=10%

1 MP5522Y/MP5512Y PDE=10%時(shí),溫度對(duì)暗計(jì)數(shù)率和后脈沖概率的影響

Fig.2 Photocurrent and dark current vs reverse voltages of the MP5522Y/MP5512Y

2 MP5522Y/MP5512Y光電流-暗電流曲線

2 封裝外形及尺寸The package

1. MP5512Y/MP5513Y

2. MP5522Y/MP5523Y

2 引腳定義

管腳

符號(hào)

功能定義

1

P

Panode

2

G

Case Ground

3

N

N (cathode)

2 注意事項(xiàng)The cautions

該器件需要溫度反饋工作電壓控制

This device needs feedback of voltage temperature when operating.

貯運(yùn)、使用注意靜電保護(hù)措施

The suitable ESD protecting mersures are recommended in storage, transporting and using.

光纖彎曲半徑不小于20mm

The fiber bending radius no less than 20mm for avoiding fiber damaged.

使用前保證光纖連接處潔凈

Be sure the fiber coupling facet is clean before connecting it to opto-circuit.

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InGaAs單光子雪崩光電二極管

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InGaAs單光子雪崩光電二極管 - 261
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