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創新型冷場發射電子槍具有超高分辨率和電子束穩定性
這種新型的冷場發射電子槍采用日立**的“柔性閃爍”“Mild flashing”技術和全新改進的真空系統,在發射極尖端極大限度減少氣體分子附著。 發射極始終運行于“潔凈”的狀態,發射電流和電子束穩定性顯著提升。 即使在低加速電壓下,也可以得到高信噪比的SEM信號并進行高分辨觀察。 這些增強性能開辟了低電壓下元素微量分析的全新里程。
SU8200系統具備全新設計的頂端過濾器,可增強電子檢測特性。 通過選擇性地過濾非彈性散射電子和直接檢測特定能量的背散射電子,可實現良好的對比度。 這種選擇性的過濾,在提高低加速電壓下成分對比度方面尤為強大。樣品臺和樣品室的防震措施以及光學系統的優化有助于提高分辨率:15 kV時0.8 nm,1 kV時 1.1 nm。
SU8220 | SU8230 | SU8240 | ||
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二次電子分辨率*1 | 0.8 nm (Vacc 15 kV, WD=4 mm, 放大倍數 270 k×) 1.1 nm (著陸電壓 1 kV, WD=1.5 mm, 放大倍數 200 k×)*2 | |||
著陸電壓 | 0.01~30kV | |||
放大倍數 | 20-1,000,000×*3 | |||
樣品臺控制 | 5軸馬達臺 | 5軸馬達臺 | 5軸馬達臺 Regulus®樣品臺*4 | |
行程范圍 | X | 0~50mm | 0~110mm | 0~110mm |
Y | 0~50mm | 0~110mm | 0~80mm | |
R | 360° | |||
Z | 1.5~30mm | 1.5~40mm | 1.5~40mm | |
T | -5~70° | |||
樣品臺回位精度 | - | - | ±0.5μm或以下 |
*1:
使用日立高新技術樣品在掃描電子顯微鏡圖像測量*小的粒子間隙
*2:
減速模式觀察
*3:
基于127 mm x 95 mm底片指定的放大倍數